【产品】-30V/-3.0A的P沟道增强型场效应晶体管YJL2303A,采用SOT-23封装
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJL2303A,采用SOT-23封装,漏源电压为-30V,漏极电流为-3.0A(TA=25℃时)。
实物图
产品概要
● VDS -30V
● ID -3.0A
● RDS(ON)( at VGS=-10V) <85 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) <105 mohm
一般说明
●沟槽低压功率MOSFET技术
●高密度单元设计,低RDS(ON)
●高速开关
应用领域
●PMW应用
●负荷开关
●电源管理
■绝对最大额定值(除非另有说明,否则TA = 25℃)
订购信息
封装信息
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品类:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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