【应用】具有极低导通电阻的SiC FET用于数据中心，可有效降低损耗提高效率
数据中心的规模非常大。搜索一下数据中心的图片，您就会找到多张庞大而平凡的建筑的航拍宣传照片，这些大楼通常都是新建的，耸立在同样庞大而平凡的地面上。这清楚地表明，尽管新建筑已经很庞大，但是所有者仍然热衷于预留充足的空间供日后扩展之用。
亚马逊、苹果、脸书、谷歌和许多知名度稍逊一筹的组织都在全世界多个地点建立了这样庞大的数据中心。出于商业原因，它们不会宣称到底有多少台服务器，不过其中部分组织的服务器肯定达到了数百万台。这给设计方面带来了挑战。进入数据中心的每一焦耳能量都是要付费的，如果运行了数百万台服务器，那么每台机器节省一点能量都会让整个数据中心受益不浅。
为每台服务器供电是一个重要领域，对整体能量使用有巨大的影响。有几个基本问题相对容易解决。例如，使用高输入电压供电时，热损失I2R将小于使用较低的输入电压。避免使用超过规格的电源也有助于节能——用500W电源提供300W电力是毫无必要的。然后是电源本身的基本转换效率。惠普估计，许多服务器电源的运行效率为65%至80%，这意味着在最坏的情况下，您购买的三分之一的电力除了加重数据中心冷却系统负担以外毫无作用。
较为复杂的电源设计可以将效率提高到90%或更高。但是许多设计师仍没有采用一种较为简单的方法来提高效率：使用更高效的半导体器件。例如，UnitedSiC采用共源共栅（cascode）架构将一个常开型碳化硅（SiC）JFET与一个Si MOSFET封装到一起，生产出一个常关型SiC FET器件。该器件的驱动方法与Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET和Si超结器件相同，但是它有超低的栅级电荷和特殊的反向恢复特征，可以用来构建能高效开关的电源。
UnitedSiC UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S SiC FET等零件还有其他优点。首先，它们的RDS(on)非常低，可降低内部损耗，而这与提高效率直接相关。其次，它在常见的表面贴装式DFN8x8封装中提供，并且已经用于电信设备等空间非常宝贵的应用。这些SiC FET的应用使设计师能够在现有外壳或机架的热预算内开发密集的电源。
正如本文开头所述，数据中心可能会非常大。降低服务器消耗的能量还能节省冷却成本，并且为保护或改善系统可靠性带来良机。优化涉及一系列非常复杂的资本成本和运营成本、能效和计算密度，以及可靠性和其他方面的权衡。在服务器电源中采用替代性SiC器件的优势在于这种替代非常简单、经济，而且能提供许多小节约，这些小节约加起来能够带来大的、宝贵的改变。
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