【产品】2048K×8bits的AS7C316096C高速CMOS SRAM，数据快速存取响应时间为10ns
AS7C316096C是由ALLIANCE推出的一个经典款高速CMOS静态随机存取存储器（即SRAM），其结构为2048K×8bits，总容量可达到16Mb。该产品使用了高性能、高可靠性的CMOS技术设计生产。其大容量的特性，可作为许多高速微处理器的主缓存使用，如高速家用电脑的CPU主缓存。
图1 AS7C316096C高速CMOS SRAM的重要参数表和选型表
AS7C316096C高速CMOS SRAM作为CMOS SRAM家族的成员，其标志性的特殊功能就是在主机断电的情况下，通过使用电池作为备用电源，可以继续保持其存储数据的功能特点。其由电池供电时数据保持电压最小值仅为1.5V，而待机电流可以稳定的保持在4mA的典型值上（在最大工作温度范围内）。AS7C316096C高速CMOS SRAM的另一个优点就是其工作温度范围达到了工业级别的-40°C~85°C，可适用在工业级别的工作环境中。该款产品的快速访问时间达到了极为快速的10ns，这便是得益于其高性能的CMOS技术。至于功耗方面，其待机功耗为毫瓦级别。家用电脑的主板CMOS电池几乎不用更换，便是此类产品低功耗节能的实际证明。
图2 AS7C316096C高速CMOS SRAM的功能模块示意图
AS7C316096C高速CMOS SRAM的单电源供电电压为3.3V，市面上大部分主流主板均可提供，应用面广阔。而在数据输出方面，其支持三态输出的同时，还能兼容TTL逻辑电路（输入输出同时兼容），数据接口兼容性更强。该款产品在实际选用中，还有一个优点就是，其即支持TSOP-II型的44引脚芯片级封装（AS7C316096C-10TIN），也可选用48-ball 6mm x 8mm TFBGA的封装形式（AS7C316096C-10BIN）。不同的封装形式，更有利于客户根据自身需求进行选型购买，市场应用面也随之增广。
AS7C316096C高速CMOS SRAM的主要特点：
• 高速CMOS SRAM产品
• 高性能、高可靠性的CMOS技术
• 总容量高达16Mb
• 数据快速存取响应时间为10ns
• 单一3.3V电压供电，数据保持电压：1.5V最低值
• 低功率损耗节能型产品，工作电流典型值90mA，待机电流典型值4mA
• 支持三态输出，输入输出同时可兼容TTL逻辑
• 全面静态操作功能
• 支持两种封装形式
- 44-pin 400mil TSOP-II封装
-48-ball 6mm x 8mm TFBGA封装
• 所有采用的零部件都符合RoHS环境保护标准
AS7C316096C高速CMOS SRAM的典型应用：
• 家用电脑高速缓存
• 工业机高速缓存
• 车载电子设备
• 数码相机
• 音响合成器
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
|
3
|
选型表 - ALLIANCE 立即选型
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