【产品】650V/12A N沟道增强型MOSFET RMP12N65IP/LD/TI/T2
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。
RMP12N65IP、RMP12N65LD、RMP12N65TI、RMP12N65T2是丽正国际推出的四款N沟道增强型MOSFET，该系列器件使用自对准平面工艺和改进的端子技术，可以减少传导损耗，提高雪崩能量。
在TC=25°C时，RMP12N65系列MOSFET可以承受的漏源电压最大额定值为650V，栅源电压最大额定值为±30V，雪崩电流最大额定值为12A，漏极连续电流最大额定值为12A，漏极脉冲电流最大额定值为48A，RMP12N65IP、RMP12N65LD和RMP12N65T2的最大功率耗散为225W，RMP12N65TI的最大功率耗散为51W，单脉冲雪崩能量最大额定值为790mJ，工作结温和储存温度范围为-55~150℃。RMP12N65IP、RMP12N65LD和RMP12N65T2的结壳热阻额定值为0.56℃/W，RMP12N65TI的结壳热阻额定值为2.43℃/W ；结至环境的热阻额定值为62.5℃/W。
产品特性
•低反向传输电容
•低栅极电荷
•快速开关
•改进的ESD能力
•改进的dv/dt能力
•经过100％雪崩能量测试
应用领域
高效开关电源
电子照明
不间断电源（UPS）
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】600V/4A的N沟道增强型MOSFET RMP4N60，反向传输电容低至8pF
丽正国际（Rectron）推出的RMP4N60是一款N沟道增强型MOSFET，采用了Jiexin半导体专利技术。自对准平面工艺和改进的端子技术减少了传导损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种开关电源电路，以实现更高效率和系统小型化。
新产品 发布时间 : 2020-05-04
【产品】采用自对准平面工艺和改进端子技术的N沟道增强型MOSFET RMP12N60，漏源电压可高达600V
丽正国际推出的RMP12N60是N沟道增强型MOSFET，采用自对准平面工艺和改进的端子技术，可减少传导损耗，提高雪崩能量。在TC=25°C时，RMP12N60漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±30V，漏极连续电流最大额定值为12A，工作时结温和储存温度范围为-55 ~ +150℃。
新产品 发布时间 : 2019-11-23
【产品】24pF低Crss的N沟道增强型MOSFET RMP10N65
丽正国际推出的RMP10N65是一款N沟道增强型MOSFET，采用自对准平面工艺和改进的端子技术，可减少传导损耗，提高雪崩能量。在TC =25°C时，RMP10N65漏源电压最大额定值为650V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为9.5A。
新产品 发布时间 : 2019-11-21
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET 2N7002，可用于电池供电系统
丽正国际（RECTRON）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET 2N7002，可应用于电池供电系统，固态继电器，驱动器（继电器、电磁阀、灯、显示器、存储器等）。
产品 发布时间 : 2021-12-29
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论