【选型】瑞萨漏源电压100V的N沟道功率MOSFET用于48V轻混系统，漏源导通电阻≤2.4mΩ
48V轻混系统，就是采用了48伏工作电压作为电子系统和动力系统电源的混合动力汽车所使用的一个电源系统。本文推荐瑞萨电子推出的一款N沟道功率MOSFET RBA250N10CHPF-4UA02，符合AEC-Q101标准，正是为这类大电流开关应用应运而生。
以下是RBA250N10CHPF-4UA02#GB0的绝对最大额定值参数表格：
RBA250N10CHPF-4UA02应用在48V轻混系统，有如下特点：
1、漏源电压为100V，漏极电流高达±250A，可应用于大电流开关切换场合；
2、具有超低漏源导通电阻（RDS(ON)最高不超过2.4mΩ@VGS=10V，ID=125A），有助于减少功率损耗；
3、低输入电容Ciss典型值为9500pF@VDS=50V，加速开关时间，降低开关损耗；
另外，RBA250N10CHPF-4UA02#GB0满足AEC-Q101标准，因此推荐应用在48V轻混系统。
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