国内领先的第三代半导体功率器件设计公司:派恩杰(PN Junction)
产品亮点:
碳化硅SBD
● 核心参数正向压降小VF可达1.29V,达国外最新产品标准.
● 650V 6A 8A 10A 封装:TO220-2
● 650V 20A 封装:TO220-F
碳化硅MOS
● 1200V/ 25mΩ 80 mΩ 120 mΩ,1700V/3Ω,650V40 mΩ
● 原胞(pitch)尺寸在3.2~6um,比导通可达2.8mΩ,与国际领先水平比肩
● HDFM品质因数可达1.29,跟同业客户相比,整体损耗更小,效率更高
氮化镓三极管
● 独有的兼容驱动控制技术,氮化镓栅极驱动电压适用范围扩张到0V~12V
● 频率特性提高100%, 芯片面积小10%, 综合损耗低70%
● 相对传统硅基的Coolmos方案,在60Hz和200Hz效率上有明显的提升
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阿尼古 Lv8. 研究员 2023-01-31感谢分享
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极度认真 Lv8. 研究员 2023-01-05学习
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Henry2019 Lv6. 高级专家 2022-12-12学习了
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卍君卍 Lv7. 资深专家 2022-12-08学习
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ND Lv5. 技术专家 2022-12-06学习
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潜水的鱼 Lv6. 高级专家 2022-09-03学习
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九月 Lv6. 高级专家 2022-05-18学习
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用户25605642 Lv3. 高级工程师 2022-02-08学习
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闪耀 Lv7. 资深专家 2021-08-08学习
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小蜗牛 Lv5. 技术专家 2021-07-26学习
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