200kV/us CMTI的隔离驱动器，助力实现高速隔离驱动
隔离驱动在各种不同的应用中被广泛用来驱动IGBT和MOSFET，如电机驱动器、太阳能逆变器以及其他各种电源等。除了开通和关断IGBT或MOSFET外，这些驱动还提供隔离功能。
功率器件的开关速度取决于所选用的器件类型以及应用需求。10kHz至20kHz的开关频率在IGBT器件中是最为常见的，但基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的应用系统则能工作在50kHz至200kHz，甚至更高的频率。采用较高开关频率主要有所需滤波器尺寸较小、快速的响应和较低失真等优势。不过在带来这些优势的同时也伴随着转换期间功率损耗的增加。当在较高开关频率上运行隔离驱动器时，共模瞬变抗扰度（CMTI）就成为需要重点考虑的参数。
CMTI参数的重要性
为什么需要重点考虑CMTI这个参数呢？在说明这个之前，我们先来了解下常用两电平逆变器中的转换损耗。据经验表明，逆变器的转换损耗与开关频率成正比，但为了实现较低的综合成本和更小体积的磁性器件（如电感和变压器）的目标，还是会采用提高开关频率的方式来实现。而且通常功率器件的导通损耗比开关损耗小，当采用较高开关频率进行驱动时，为了能获得比较小的转换损耗，需要一个更短的上升/下降时间，如50ns，20ns，甚至更短，让导通时间占比增加，从而提高逆变器的效率。
另外一项则是采用较高的DC直流总线电压及更高的直流母线电压增加输出功率，同时保持电流水平和铜的成本相同，因此降低了每单位能源产生的成本，效率也提高了，因此总的功率输出增加（因为更高的直流电压V），但传导损耗保持相同的水平（因为相同的电流I）。
SILICON LABS为隔离器件推陈出新
在应用需求的逐步推动下对CMTI隔离器件的需要也更高。很多公司为了响应市场需求也为了赢得市场，或是升级产品，或是推陈出新。
Silicon Labs推出的隔离驱动器Si827x 就是其中较受欢迎的一个，且在单一封装中为隔离驱动应用提供单驱动器或两个4A隔离驱动器。由于Si827x采用的是电容隔离技术，因此开关速度可达几百kHz。与此同时Si827x还 具有200kV/us的CMTI，可消除因切换速度加快而产生的风险，而且由切换速度加快造成的高噪声瞬态也不会影响通过驱动器的信号的完整性，保证驱动器的稳定可靠，非常适合对SiC和GaN功率器件的隔离驱动。
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