【经验】浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

2019-12-17 基本半导体
碳化硅MOSFET,电源模块,单通道驱动核,1CD0214T17-XXYY 碳化硅MOSFET,电源模块,单通道驱动核,1CD0214T17-XXYY 碳化硅MOSFET,电源模块,单通道驱动核,1CD0214T17-XXYY 碳化硅MOSFET,电源模块,单通道驱动核,1CD0214T17-XXYY

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下:


一、开通关断

对于全控型开关器件来说,配置合适的开通关断电压对于器件的安全可靠具有重要意义:

1)IGBT:各厂家IGBT对开通关断电压要求一致:

⚫ 要求开通电压典型值15V;

⚫ 要求关断电压值范围-5V~-15V,客户根据需求选择合适值,常用值有-8V、-10V、-15V;

⚫ 优先稳定正电压,保证开通稳定。


2)碳化MOSFET:不同厂家碳化MOSFET对开关电压要求不尽相同:

⚫ 要求开通电压较高22V~15V;

⚫ 要求关断电压较高-5V~-3V;

⚫ 优先稳负压,保证关断电压稳定;

⚫ 增加负压钳位电路,保证关断时候负压不超标。


二、短路保护

开关器件在运行过程中存在短路风险,配置合适的短路保护电路,可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。IGBT相比,碳化MOSFET短路耐受时间更短。

1)IGBT:

IGBT的承受退保和短路的时间一般大于10μs,在设计IGBT的短路保护电路时,建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。


2)碳化MOSFET

一般碳化MOSFET模块短路承受能力小于5μs,要求短路保护在3μs以内起作用。采用二极管或电阻串检测短路,短路保护最短时间限制在1.5μs左右。

三、碳化硅MOSFET驱动的干扰及延迟

1)高dv/dt及di/dt对系统影响

在高压大电流条件下进行开关动作时,器件开关会产生高dv/dt及di/dt,对驱动器电路产生影响,提高驱动电路的抗干扰能力对系统可靠运行至关重要,可通过以下方式实现:

⚫ 输入电源加入共模扼流圈及滤波电感,减小驱动器EMI对低压电源的干扰;

⚫ 次边电源整流部分加入低通滤波器,降低驱动器对高压侧的干扰;

⚫ 采用共模抗扰能力达到100kV/μs的隔离芯片进行信号传输;

⚫ 采用优化的隔离变压器设计,原边与次边采用屏蔽层,减小相互间串扰;

⚫ 米勒钳位,防止同桥臂管子开关影响。

2)低传输延迟

通常情况下,硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ碳化MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz,应用频率的提高使得碳化MOSFET要求驱动器提供更低的信号延迟时间。碳化MOSFET驱动信号传输延迟需小于200ns,传输延迟抖动小于20ns,可通过以下方式实现:

⚫ 采用数字隔离驱动芯片,可以达到信号传输延迟50ns,并且具有比较高的一致性,传输抖动小于5ns;

⚫ 选用低传输延时,上升下降时间短的推挽芯片。


总之,相比于IGBT碳化MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时,对于驱动器也提出了更高要求,为了让碳化MOSFET更好的在系统中应用,需要给碳化MOSFET匹配合适的驱动。


接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品

碳化硅MOSFET

基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

微信图片_20191205112022.jpg


碳化硅驱动

1、半桥两并联功率单元

该产品是青铜剑科技为基本半导体碳化硅MOSFET 量身打造的解决方案,搭配本半导体TO-247-3 封装碳化硅 MOSFET。


2、通用型驱动核

1CD0214T17-XXYY 是青铜剑科技自主研发的一系列针对于单管碳化硅MOSFET 的单通道驱动核,可以驱动目前市面上大部分 1700V 以内的单管碳化硅 MOSFET, 该驱动核设计紧凑,通用性强。


3、电源模块

Q15P2XXYYD 是青铜剑科技自主研发的单通道系列电源模块,支持多种栅极输出电压,可灵活应用于碳化硅MOSFET驱动。该电源模块尺寸为19.5 X 9.8 X 12.5 mm, 设计紧凑, 通用性强。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 1

本文由士羽转载自基本半导体,原文标题为:SiCer小课堂 l 浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

评论

   |   

提交评论

全部评论(1

  • lgg Lv7. 资深专家 2019-12-23
    学习了
没有更多评论了

相关推荐

SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位?为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位?| 视频

今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家讲解什么是米勒现象?为什么驱动碳化硅MOSFET需要使用米勒钳位功能?以及基本半导体的创新性产品选型推荐。

设计经验    发布时间 : 2024-09-09

【经验】碳化硅功率器件可靠性测试方法详解

基本半导体的碳化硅功率器件产品在批量投入市场前都需要通过规定的可靠性测试,以确保每一款器件的性能长期稳定可靠。本文基本半导体将为您详解碳化硅功率器件可靠性测试方法。

设计经验    发布时间 : 2023-07-25

【经验】采用TO-247-4封装的碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性

在实际应用中,基本半导体发现带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件,它可以进一步降低器件的开关损耗,也更有利于分立器件的驱动设计。

设计经验    发布时间 : 2022-09-01

【IC】基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片BTD3011R系列,绝缘电压高达5000Vrms

BTD3011R单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片采用磁隔离技术,集成退饱和短路保护、软关断功能、原副边欠压保护、副边电源正压稳压器,极大简化外部电路设计,用于电压等级1200V内的IGBT或碳化硅MOSFET驱动。

产品    发布时间 : 2023-10-09

【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,工作结温高达175℃

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点,可支持连续运行峰值结温至175℃,以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。

产品    发布时间 : 2023-11-27

B2M040120Z SiC MOSFET

型号- B2M040120Z

数据手册  -  基本半导体  - Rev. 0.1  - 2023-08-10 PDF 英文 下载 查看更多版本

基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南  -  基本半导体  - 2024/5/16 PDF 中文 下载

【元件】基本半导体推出工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块BMF240R12E2G3

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块,该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板等技术。

产品    发布时间 : 2024-04-12

【产品】采用标准HPD封装的汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6,提高系统输出电流能力10%

汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6是基本半导体基于广大汽车厂商对核心牵引驱动器功率器件的高性能、高效率等需求设计并推出的产品。该产品采用标准HPD封装,并在功率模块内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺,以及高密度铜线键合技术。

新产品    发布时间 : 2022-09-17

凶猛来袭!基本半导体领先碳化硅功率模块技术赋能埃安霸王龙,强悍超长续航引领绿色出行新风尚

2024年7月23日,埃安全球战略车型第二代AION V上市发布会正式启幕,第二代AION V以“纯电霸王龙”的姿态震撼登场,展现在外观、空间、续航、补能、舒适、智能和安全等方面的八大核心产品力。基本半导体以领先的碳化硅功率模块技术,赋能埃安霸王龙凶猛来袭,以强悍的超长续航、超高效能引领绿色出行新风尚!

产品    发布时间 : 2024-07-31

【IC】基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350,能高效可靠地抑制碳化硅MOS误开通

基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通,该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。

产品    发布时间 : 2024-06-26

【技术】SiC科普小课堂 | 碳化硅MOSFET的RDS(on)构成情况 ∣ 视频

今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将继续围绕碳化硅MOSFET的话题,为大家介绍其RDS(on)的构成情况,以及降低该电阻、提高器件性能需要攻克的主要方向。

技术探讨    发布时间 : 2023-08-10

B2M600170H SiC MOSFET

型号- B2M600170H

数据手册  -  基本半导体  - Rev. 0.0  - 2024-07-08 PDF 英文 下载

基本半导体2023年碳化硅产品不断创新,车规级碳化硅芯片和功率模块产能稳步提升

2023年,基本半导体迎来了众多高能时刻,产品创新应接不暇,产能建设继续加码,量产交付稳健增长,收获了众多合作伙伴的认可与支持。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-02-02

展开更多

电子商城

查看更多

只看有货

品牌:基本半导体

品类:碳化硅场效应晶体管

价格:¥240.0000

现货: 15

品牌:基本半导体

品类:碳化硅场效应晶体管

价格:¥120.0000

现货: 0

品牌:Innovision Semiconductor

品类:同步降压电源模块

价格:¥541.5000

现货: 3,700

品牌:VINCOTECH

品类:IGBT POWER MODULE

价格:¥106.3150

现货: 2,057

品牌:RENESAS

品类:PHOTOCOUPLER

价格:¥13.1827

现货: 2,000

品牌:Innovision Semiconductor

品类:电源管理IC

价格:¥213.0000

现货: 2,000

品牌:ROHM

品类:IGBT Intelligent Power Module (IPM)

价格:¥60.5807

现货: 1,759

品牌:VINCOTECH

品类:power module

价格:¥254.0730

现货: 1,408

品牌:Innovision Semiconductor

品类:电源管理IC

价格:¥213.0000

现货: 1,400

品牌:Innovision Semiconductor

品类:电源管理IC

价格:¥213.0000

现货: 1,400

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:Flex

品类:电源模块

价格:¥82.6630

现货:5,615

品牌:威勤电子

品类:电源模块

价格:¥30.3209

现货:119

品牌:金升阳

品类:电源模块

价格:¥68.0000

现货:76

品牌:金升阳

品类:电源模块

价格:¥60.0000

现货:67

品牌:金升阳

品类:电源模块

价格:¥68.0000

现货:65

品牌:中国长城

品类:电源模块

价格:¥1,045.0000

现货:43

品牌:XED

品类:稳压电源模块

价格:¥5,330.6343

现货:41

品牌:金升阳

品类:电源模块

价格:¥40.0000

现货:39

品牌:金升阳

品类:电源模块

价格:¥80.0000

现货:26

品牌:金升阳

品类:电源模块

价格:¥80.0000

现货:23

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

高压输入/输出电源模块定制

可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。

提交需求>

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面