小体积、低成本、高集成化IPM，未来电机驱动设备领跑者

时间： 2016-08-22 来源：世强

技术问答

全球功率模块顶级厂商，电力电子模块解决方案顶尖供应商VINCOTECH公司推出一款适用于小功率运动控制系统的小型IPM，产品型号为flow IPM 1B。该模块采用高度集成工艺，使产品体积更小、应用范围广、适用性强，可以完美适应拥挤环境，可作为变频器等设备广泛应用于低功耗工业电机驱动、嵌入式驱动等领域中，具有非常好的市场前景。

图1：产品flow IPM 1B实物图

作为先进功率器件，IPM在功率电子领域中的应用越来越广泛。产品flow IPM 1B充分迎合了其作为变频器应用，对设备小型化、低成本化、短开发周期的要求，它采用了VINCOTECH公司的高度系统集成化技术，将逆变电路、整流电路和整个驱动电路完全集成至1200V/8A的IPM功率模块中，不再需要任何外部组件，使产品结构更加小型化，同时组装更加便捷。其集成化技术也优化了产品的制造、装配成本，亦使产品具有高可靠性。

同时，产品flow IPM 1B具有多种电路保护功能，可实现控制电压欠压保护、过流保护，进一步增强了其应用的高稳定性。产品配备的最佳冷却系统使其具有精密的热管理功能，故可作为机械环境拥挤设备的优良选择。flow IPM 1B在类似于输出功率高达 1kW 的马达驱动电路中应用最为广泛，同时在如风扇、水泵、洗衣机中采用的嵌入式马达驱动器以及小型工业马达驱动器中也具有无可替代的市场价值，其可靠性在行业内领先其他产品。

flow IPM 1B产品特点：
• 高度系统化集成
• 配备最佳冷却系统
• 制造、装配成本创新低
• 自我保护机制：过流保护，欠压锁定
• 可应用于拥挤的机械环境：工业电机驱动，嵌入式驱动：泵、压气机等。

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沈戈戈 Lv7. 资深专家 2017-12-27

感谢分享，资料不错，学习了解下先
沈戈戈 Lv7. 资深专家 2017-12-27

感谢分享，资料不错，学习了解下先

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功率模块V23990-P629-L43-PM能否替代V23990-P629-F73-PM？

这两个功率模块物料都是flowBOOST 0系列，其中模块V23990-P629-F73-PM的特点为：电压1200V，电流2*40A，带有2*50A的超快Si二极管以及反向保护二极管；模块V23990-P629-L43-PM的特点为：电压1200V，电流2*50A，带有SiC二极管和反向保护二极管，其速度更快、损耗更小。如果不考虑SiC的价格问题，V23990-P629-L43-PM可以替代V23990-P629-F73-PM。如果仍需Si二极管，则推荐V23990-P629-L59-PM，其电压1200V，电流2*40A。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

在变频器的应用中，需要高集成功率模块，要求其内置包括三相整流，PFC，三相全桥逆变部分，电压大于1100V，电流大约70A，请推荐一个型号。

推荐功率模块V23990-P760-A60-PM，该模块内置包括三相整流，PFC，三相逆变部分，电压为1200V，电流为100A，满足设计要求。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

新技术！功率因数校正模块的开关频率可以达到75kHz啦

基于最新的650V IGBT芯片技术，flowFPC 0 CD功率因数校正模块的最高开关频率可达75kHz，满足绝大多数大功率设备应用的要求。

新产品发布时间 : 2016-04-18

【产品】集六管、DC电容及温度检测的三通道升压电路功率模块

Vincotech的flow3xBOOST 0系列采用了英飞凌全新的IGBT H5芯片技术及flow 0 封装，并为用户提供预涂导热界面材料。

新产品发布时间 : 2017-10-25

【产品】集IGBT与MOSFET优势，大幅降低外部器件成本

威科的flowIPM 1B CIP-600V是一款高度集成的功率模块，其将第五代IGBT的高速性和MOSFET器件优异的开关特性完美地结合在一起，不仅具有优异的性能，还能大大地降低外部无源器件的成本。

新产品发布时间 : 2016-10-23

在使用IGBT功率模块进行变频器设计时，需要考虑IGBT的自身损耗导致的发热问题，对于散热器尺寸和风扇功率的设计都有影响。IGBT运行时的损耗如何进行计算？

IGBT运行时的损耗包括开关损耗和导通损耗，其中开关损耗是IGBT的开通和关断期间，Vce的下降和Ic的上升之间的交叉区域为热损耗；导通损耗是IGBT导通期间，流经IGBT的电流Ic与饱和压降Vce的乘积，运行总损耗为开关损耗与导通损耗之和。

技术问答发布时间 : 2017-07-30

在设计轨道空调变频器时，在变频器功率因数不同时IGBT模块发热差别较大，请问在不同的功率因数下，模块内部IGBT和续流二极管的导通损耗是什么情况？

当功率因数为1时，意味着负载表现为纯电阻特性，电压与电流的相位差为0度。如果此时开关IGBT，由于负载为阻性，IGBT关断后，二极管是不存在续流过程的，因为负载电流马上就断了，二极管完全没有续流过程，二极管的导通损耗为0。当功率因数为-1时，意味着负载向电源回馈纯有功功率，电压与电流的相位差为180度。IGBT虽然有开通和关断行为，但是电流只穿过续流二极管。在这种工况中，IGBT是不导通电流的，全部是二极管承载电流。即在功率因数为1时，IGBT的导通损耗最大，二极管的导通损耗极小。在功率因数为-1时，二极管的导通损耗最大，IGBT的导通损耗极小。

技术问答发布时间 : 2017-10-10