【产品】封装尺寸仅为0.8mm0.8mm0.35mm，输出电流2A的超小型高边负载开关，可用于便携式设备

时间： 2018-11-01 来源：ROHM

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罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，由其推出的BUS1DJC0GWZ和BUS1DJC3GWZ 高边负载开关，内置具有低导通电阻的P沟道MOSFET，输出电流2A，输入控制逻辑为高电平有效，具有低输入电压、超低偏置电流、超低待机电流和超小封装的突出优势，非常适用于便携式数字领域，典型的应用为数码相机、手机、智能手机、便携式设备、数码摄像机等。

BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关工作时的开关输入电压范围为1.1V~5.0V，较宽的电压输入范围降低了对产品供电电路的设计要求，非常便于设计与使用。导通电阻典型值低至63mΩ（V_IN=3.3V）和140mΩ（V_IN=1.2V），较低的导通电阻可以实现更低的通态损耗，同时具有易于驱动的优势；除此之外，其还具有低工作电流，典型值仅为0.35μA（V_EN=3.3V、I_OUT=0A），待机电流典型值0.01μA（V_EN=0V、V_OUT=OPEN），因此其具有非凡的低电流消耗能力，可出色地实现低功耗设计，是以低电流和低功耗为重要考虑因素的应用领域（如便携式与可穿戴设备等）的理想选择。BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关还集成多种保护功能，内置放电电路和软启动电路，可以控制器件的导通时间以避免浪涌电流。另外，还内置了短路保护功能和ESD保护功能，在电气方面具有高可靠性。

BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关两者的差别在于响应速度不同。其中BUS1DJC0GWZ的开启时间典型值为32μs（V_IN=1.2V、R_L=510Ω、C_L=0.1μF）和12μs（V_IN=3.3V、R_L=510Ω、C_L=0.1μF），关断时间典型值为25μs（V_IN=3.3V、R_L=510Ω、C_L=0.1μF）；而BUS1DJC3GWZ的开启时间典型值为510μs（V_IN=1.2V、R_L=510Ω、C_L=0.1μF）和190μs（V_IN=3.3V、R_L=510Ω、C_L=0.1μF）。相比之下，BUS1DJC0GWZ响应更为迅速，更适用于高频开关操作。

值得一提的是，BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关均采用超小型UCSP30L封装，封装尺寸仅为0.8mm*0.8mm*0.35mm，非常节省电路板面积，可应用于便携式设备领域。BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关储存温度范围最大为-55℃~+120℃，工作温度范围为-30℃~+85℃，满足商业级产品使用的温度要求，可适用于各类商业领域。两者的引脚配置与典型应用电路如下：

图1 BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关引脚配置

图2 BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关典型应用电路

BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关产品特性：

·P-MOSFET高边负载开关

·低输入电压

·超低偏置电流

·超低待机电流

·内置放电电路

·内置软启动电路

·内置短路保护功能

·输入逻辑：高电平有效

·超小封装

·ESD保护

BUS1DJC0GWZ、BUS1DJC3GWZ高边负载开关应用领域：

·数码相机

·手机

·智能手机

·便携式设备

·数码摄像机

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全部评论（5）

用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-01

不错
小李3412 Lv6. 高级专家 2018-11-01

好东西呀
Raina Lv4. 资深工程师 2018-11-01

好文学习了，
聆听者 Lv6. 高级专家 2018-11-01

简易便携，很实用
luosai Lv8. 研究员 2018-11-01

学习了！

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