【产品】国产1200V碳化硅肖特基二极管P3D12010K2,适用于消费型开关电源
P3D12010K2是派恩杰推出的一款1200V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD),具有高频操作、零反向恢复电流等特性,有利于提高系统效率,减少散热需求,并且基本上没有开关损耗,并联使用不会出现热失控。反向重复峰值电压高达1200V(TC= 25℃),正向电流IF(158≤°C)为10A,低正向导通压降VF为1.42V,结电荷Qc仅为49nC,应用时的导通损耗和开关损耗可降至最低。本产品适用于消费型开关电源、PFC或DC/DC中的升压二极管以及AC/DC转换器的领域中。产品实物图和PIN脚图如下图所示:
产品特性
超快的开关速度
零反向恢复电流
高频操作
VF具有正向温度系数
高浪涌电流
通过100% UIS测试
产品优势
提高系统效率
减少散热需求
基本上没有开关损耗
并联使用不会出现热失控
产品应用
消费型开关电源
PFC或DC/DC中的升压二极管
AC/DC转换器
订购信息
最大额定参数:(TJ=25℃条件下,除非另有注明)
热特性
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由蛋糕翻译自派恩杰,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】1200V的碳化硅肖特基二极管P3D12010G2,工作结温高达175℃
P3D12010G2是派恩杰推出的一款1200V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD),具有高频操作、零反向恢复电流等特性,有利于提高系统效率,减少散热需求,并且基本上没有开关损耗,并联使用时也不会出现热失控。反向重复峰值电压为1200V,正向非重复浪涌电流为106A。
【产品】派恩杰推出1200V碳化硅肖特基二极管P3D12010T2,助力系统效率提高减少散热需求
P3D12010T2是派恩杰推出的一款1200V碳化硅肖特基二极管(SIC SBD),具有高频操作、零反向恢复电流等特性,有利于提高系统效率,减少散热需求,并且基本上没有开关损耗,并联使用不会出现热失控。
【产品】650V的SiC SBD P4D06020F2/P4D06010F2,符合AEC-Q101标准
派恩杰的650V SiC SBD P4D06020F2、P4D06010F2符合AEC-Q101和RoHS标准,无卤素添加。这两个产品具有超高速开关、零反向恢复电流等特点,具有可提高系统效率,减少散热器需求等使用优势,可用于消费级SMPS,PFC或DC/DC中的升压二极管,AC/DC变换器。
【应用】中电国基南方650V SiC SBD WS3A006065A助力通信电源PFC电路高效率设计
在传统的离线AC-DC通讯电源应用的PFC电路中,建议采用SiC SBD作为PFC升压二极管以提高整机效率。中电国基南方(CETC)的650V SiC SBD WS3A006065A拥有零反向恢复电流和零正向恢复电压,基本没有开关损耗,有与温度无关的开关特性,因此具有较强的温度稳定性且可有效提高系统效率。
HDW40S120B碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)
描述- 本资料介绍了硅碳化物肖特基二极管(SiC SBD)HDW40S120B的产品特性、应用领域和典型性能参数。该产品采用先进的半导体材料——碳化硅,具有温度独立开关行为、低正向电压、优异的热性能等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、功率因数校正(PFC)、开关模式电源(SMPS)和车载充电器(OBC)等领域。
型号- HDW40S120B
P3D06002E2 SiC SBD 650V SiC肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了PNJ公司生产的650V SiC肖特基二极管P3D06002E2的产品特性、电气特性、热特性、典型性能和封装信息。该二极管适用于高频率操作,具有超快速开关、零反向恢复电流和高浪涌电流等特点,适用于消费级SMPS、PFC或DC/DC阶段中的升压二极管和AC/DC转换器。
型号- P3D06002E2
派恩杰碳化硅二极管(SIC SBD)选型表
派恩杰推出碳化硅二极管(SIC SBD),覆盖常规电压650-1200V,额定电流2-40A
产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage(V)
|
Current Rating(A)
|
QC(nC)
|
IFRM@25℃(A)
|
Forward Voltage(VF(type)(V)
|
I(FSM)@25℃(A)
|
P3D06002E2
|
碳化硅二极管
|
650V
|
2A
|
4.72nC
|
10A
|
1.5V
|
18A
|
选型表 - 派恩杰 立即选型
【产品】直流阻断电压高达1200V的碳化硅肖特基二极管,超快速开关,100%UIS测试
派恩杰推出的SiC SBD P3D12020K3碳化硅肖特基二极管,在TC=25℃条件下,重复峰值反向电压高达1200V,直流阻断电压1200V,产品具有零反向恢复电流,超快速开关,可高频操作等特点,能提高系统效率,并减少散热器需求,基本上没有开关损耗。
P3D060006T2 650V碳化硅SBD
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06006T2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点,适用于消费级电源管理、功率因数校正(PFC)和直流/直流转换器等领域。
型号- P3D06006T2
P3D06006E2 650V SiC SBD
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06006E2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流、高频操作等特点,适用于消费级电源管理、功率因数校正(PFC)和直流/直流转换器等领域。
型号- P3D06006E2
碳化硅肖特基二极管在PFC电路中的应用和影响
碳化硅二极管稳态和暂态特性对PFC的影响是什么呢?在反向恢复电流会出现什么状态呢?本文带着问题去介绍碳化硅肖特基二极管在PFC电路中的应用。
P3D06010I2 650V碳化硅SBD
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06010I2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点,适用于消费级电源管理、功率因数校正(PFC)和直流/直流转换器等领域。
型号- P3D06010I2
【产品】1200V碳化硅肖特基二极管P3D12015T2浪涌电流最高130A,总电容典型值最大831pF
派恩杰推出的P3D12015T2是一款1200V碳化硅肖特基二极管,已通过AEC-Q101认证,100%经过UIS测试。它具有超快速开关性能,反向恢复电流为零,可适应高频工作,典型应用包括消费类开关电源、PFC或DC/DC的升压二极管、交流/直流转换器等。
P3D12020K2 1200V SiC SBD SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司的P3D12020K2型号1200V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)。该器件具有高频率操作能力、零反向恢复电流和高浪涌电流等特点,适用于消费级开关电源模块(SMPS)、功率因数校正(PFC)或直流/直流转换器等应用。
型号- P3D12020K2
P3D06006G2 650V SiC SBD
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06006G2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点,适用于消费级电源管理应用。
型号- P3D06006G2
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论