【应用】Silicon Labs隔离驱动芯片Si8238助力微型逆变器，可替换两颗独立驱动

时间： 2021-02-05 来源：世强

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微型逆变器一般是功率小于等于1KW，且有MPPT功能的逆变产品，通常由反激电路和逆变电路组成，主要拓扑结构如下图。太阳能电池板产生的低压直流电，通过反激电路升压至400V左右电压，然后通过全桥逆变电路实现正弦电压输出。相比于集中式大功率的光伏逆变产品，优点是可以对每块组件进行独立的MPPT控制，能够大幅提高整体效率，同时也可以避免集中式逆变器具有的直流高压、弱光效应差、木桶效应等。

微型逆变器的正弦电压输出，可由2颗可控硅+2颗MOS/IGBT控制实现。推荐使用SILICON LABS 隔离驱动芯片 Si8238，该产品是双路输出，可以满足2颗高频MOS/IGBT的设计，一颗替换两颗独立驱动，减小设计体积，降低设计成本。Si8238基于独特电容隔离技术，在功能上与传统的光耦驱动器兼容，但性能和可靠性更加出色，两个完全隔离的驱动在一个封装中，高达5kVrms的输入输出隔离，峰值高达1500 VDC的驱动器到驱动器差分电压，具有高耐压特性，能够使微逆产品更高效可靠。此外，Si8238具有45ns的低延时时间，可保证控制的精准；工作温度范围-40℃~125℃，保证产品具有高寿命。

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2023/7/21 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项

目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。

2019-05-06 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】多颗隔离驱动芯片SI8238共用Disable信号的设计建议，避免单颗失效时影响正常运行

多颗SI8238共用一个信号控制Disable时，但若Disable直接连接在一起，其中一个IC失效后，disable管脚出现异常对地短路时，另外正常的IC无法被关闭。所以Disable管脚间需要做隔离，防止单颗异常影响其他IC工作，建议如下

2021-06-12 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【选型】如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

Silicon labs SI827x隔离栅极驱动器高达4A峰值驱动电流，业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs）。最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p。

2018-01-31 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

IGBT驱动波形中米勒平台产生的原理是什么？

IGBT驱动波形中米勒平台产生的原理当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险，因此为了规避这个风险，有源米勒钳位功能应运而生。图1：下管IGBT因寄生米勒电容而导通有源米勒钳位解决方案要想避免RG优化、CG损耗和效率、负电源供电成本增加等问题，另一种方法是使门极和发射极之间发生短路，这种方法可以避免IGBT不经意的打开。具体操作方法是在门极与射极之间增加三级管，当VGE电压达到某个值时，门极与射极的短路开关(三级管)将被触发。这样流经米勒电容的电流将被增加的三极管截断而不会流向VOUT。这种技术被称为有源米勒钳位技术，具体方法见如下图2。图2：有源米勒钳位采用外加三极管一般选用的隔离驱动芯片（以Silicon Labs Si8285为例）通过IGBT栅极和集电极间寄生电容C_CG及Si8285副边VH pin、外部RH及内部PMOS源极电阻RSS、内部NMOS等对IGBT门极电荷进行放电来达到软关断效果。直至最后退饱和工作完成，故障通过FLT pin隔离输出，反馈给MCU。

2018-10-18 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

INN100W12 这个管子有合适隔离驱动吗？

推荐Silicon Labs推出的SI827x系列隔离驱动芯片，具有4A的驱动电流，副边支持30V的供电电压，满足目前GaN驱动的需求，参考规格书：Si827x Data Sheet

2021-04-26 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

全碳化硅功率mos是否和igbt一样驱动需要负压？有没成熟的驱动芯片推荐？

SIC MOSFET驱动是需要负压的，而GaN FET是可以不用负压。成熟的SIC MOSFET驱动芯片，推荐Silicon Labs 的SI827x，可以参考：如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

2019-10-15 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

LLC控制芯片，原幅边都采用全桥拓扑，隔离驱动，有没有相关成熟些的设计方案。设计参数输入电压42-80V，输出电压280-500V。输出功率2KW。

目前没有合适的LLC控制芯片可推荐。隔离驱动推荐采用silicon labs的高速隔离驱动Si8233，集成半桥驱动，参考链接：https://www.sekorm.com/doc/1731802.html

2020-11-26 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【经验】加强版的双驱动芯片Si823H3BD-IS3更完美的做MOS管或SIC MOS管驱动

针对目前电源行业用到上下桥拓扑的设计会用到MOS管或SIC，目前这块的设计处于弱电侧需要供电能够与MCU的供电共用，另外原边的输入可以有上下桥互锁功能，开关频率可以支持到几百KHz，驱动电流可以到4A，针对该运用Slilicon Labs推出的SI823H3BD-IS3副边可以支持到3V的供电电压，4A的拉电流和灌电流，双路独立的驱动，125KV/us的CMTI值，满足AEC—Q100的认证。

2019-08-01 - 设计经验代理服务技术支持采购服务