【产品】P153FP6SNK、P211FZ4QMKA紧凑型功率MOSFET，适用于负载/电源开关、电源转换器电路等

时间： 2019-04-13 来源：SHINDENGEN

技术问答

P153FP6SNK、P211FZ4QMKA是新电元推出的两款功率MOSFET，允许大电流，薄型SMD封装，均符合ROHS无铅标准，是环境友好型器件，两款产品的阈值电压典型值分别为3V、4V，静态漏源导通电阻典型值分别为2.4mΩ、1.1mΩ，导通损耗很低，有助于降低MOSFET通过大电流时的自身发热，同时提高电源效率。主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。

图1 P153FP6SNK功率MOSFET外观图、电路图

图2 P153FP6SNK功率MOSFET尺寸图

图3 P211FZ4QMKA功率MOSFET外观图、电路图

图4 P211FZ4QMKA功率MOSFET尺寸图

P153FP6SNK、P211FZ4QMKA两款产品的存储温度范围均为-55℃~175℃，沟道温度范围均为175℃，具有出色的耐高温、低温性能和极强的环境适应能力，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。同时热阻R_th(j-c)最大值均为0.84℃/W ，散热较快，可保障MOSFET长时间工作的稳定性，确保使用寿命。

P153FP6SNK、P211FZ4QMKA的漏源电压分别为60V、40V，连续漏极电流分别为153A、211A，单脉冲雪崩电流分别为57A、82A，可有效抑制雪崩效应，可靠性高，安全性好。功耗均为178W，功耗较低。同时，P153FP6SNK、P211FZ4QMKA具有低电容特性，其输入电容典型值为5850pF、8550pF，工程师可根据不同的需求进行选择；此外，两款产品开启延迟典型值分别为10ns、13ns，关断延迟典型值分别为56ns、85ns，具有更快的开关速度，可以满足一般高频开关电路设计需求。

P153FP6SNK、P211FZ4QMKA功率MOSFET主要特性：

•符合ROHS无铅标准

•存储温度范围均为-55℃~175℃

•沟道温度范围均为175℃

•热阻R_th(j-c)最大值均为0.84℃/W

•低R_DS(ON）

P153FP6SNK、P211FZ4QMKA功率MOSFET主要应用领域：

•负载/电源开关

•电源转换器电路

•DC-DC转换器

•电源管理

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