基本半导体携全系碳化硅产品赴欧亮相PCIM EUROPE 2022,为开拓海外市场打开新局面

2022-05-20 基本半导体
半桥MOSFET模块,汽车级全碳化硅功率模块,三相全桥MOSFET模块,塑封半桥MOSFET模块 半桥MOSFET模块,汽车级全碳化硅功率模块,三相全桥MOSFET模块,塑封半桥MOSFET模块 半桥MOSFET模块,汽车级全碳化硅功率模块,三相全桥MOSFET模块,塑封半桥MOSFET模块 半桥MOSFET模块,汽车级全碳化硅功率模块,三相全桥MOSFET模块,塑封半桥MOSFET模块

5月10-12日,作为全球最大的功率半导体展会,PCIM EUROPE 2022(欧洲电力电子系统及元器件展)回归线下,在德国纽伦堡盛大开幕,吸引了数以万计的电力电子业界人士前往观展。基本半导体携旗下全系碳化硅功率器件及驱动产品首次亮相PCIM EUROPE,为现场嘉宾带来了专业高效的功率器件解决方案,向世界展示了来自中国的第三代半导体技术。

基本半导体展出的产品包括碳化硅晶圆碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET汽车级全碳化硅功率模块、碳化硅及IGBT门级驱动等,获得了众多海内外客户及行业人士的广泛关注与认可。


碳化硅上车时机已成熟,汽车级碳化硅功率模块整装待发

近年来,全球汽车行业正朝向电动化、智能化转型, 新能源汽车成为主流趋势。为解决里程焦虑,尝试高压快充系统成为车企不约而同的选择。而相较传统硅器件,碳化硅以其耐高温、耐高压等优异特性,使得全球越来越多车企争相布局“车用碳化硅”这一市场,目前碳化硅上车时机已趋于成熟,将发展成为未来电动汽车的标配。

展会上,基本半导体展出了多款汽车级全碳化硅功率模块,包括半桥MOSFET模块Pcore™2三相全桥MOSFET模块Pcore™6塑封半桥MOSFET模块Pcell™等。该系列产品采用银烧结技术,相较于传统硅基IGBT功率模块具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作结温、更低杂散电感、更低热阻等特性,综合性能达到国际先进水平。

其中,Pcell™系列模块以其独特的封装形式、更轻薄小巧的外观吸引了诸多目光。这款模块是基本半导体的全自研产品,使用了基本半导体设计的独有封装形式,采用银烧结和DTS(Die Top System)技术,大大提升了模块的功率密度,让碳化硅材料特性得以充分发挥,产品具有更小体积和重量、更高功率密度、更低杂散电感(小于5nH)、高阻断电压、低导通电阻(小于2mΩ)、结温高达175℃等特点,非常适合应用于高效率小型化系统解决方案。


集成化、智能化、自主可控,定制化门极驱动方案倍受瞩目

为搭配功率器件的驱动需求,基本半导体展出的由旗下青铜剑技术自主研发的碳化硅和IGBT门极驱动等系列产品,也受到了客户及行业人士的高度关注。


“在介绍驱动产品时,不少参展客户对公司驱动类产品的定制化、与市场整合兼容能力表现出了强烈的兴趣。”基本半导体驻欧洲代表处负责人表示。

根据不同应用需求,公司可为客户提供集成化、智能化、自主可控的定制化驱动解决方案,涵盖600~6500V,可适配包括EconoDual™、PrimePack™、62mm、IHM等模块,具有功率器件退饱和检测保护、有源钳位保护、米勒钳位保护、逻辑互锁、欠压保护、门极短路保护等功能,确保系统稳定、可靠地运行,满足客户对产品性能和成本控制的需求。

基本半导体此次出海参加PCIM EUROPE首战告捷,斩获了众多国际客户的关注与支持,也为公司开拓海外市场打开了新局面。纵观整个PCIM EUROPE 展会现场,数百家国际知名厂商盛装出场、争妍斗艳,可以说是当下全球电力电子元器件产业激烈竞争的缩影。未来,基本半导体将不断加快创新发展步伐,为全球客户带来最优质的“中国智造”碳化硅产品和服务!


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