【产品】800V/±8A的N沟道功率MOSFET R8008ANJ，采用TO-263S封装形式

时间： 2019-10-30 来源：ROHM

技术问答

R8008ANJ是ROHM公司推出的一款具有低导通电阻的N沟道功率MOSFET。这款产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，适用于开关类应用。该器件最高结温为150℃，工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。

图1 R8008ANJ功率MOSFET产品图及内部电路图

R8008ANJ功率MOSFET采用TO-263S封装形式，其漏源电压V_DSS额定值为800V，连续漏极电流额定值为±8A。且具有较低的导通电阻，当V_GS=10V，I_D=4.0A，Tj=25℃时，其典型值为0.79Ω，最大值为1.03Ω。同时，该器件总栅极电荷Qg典型值仅为38nC，有着较好的开关性能。R8008ANJ功率MOSFET的td(on)，tr，td(off)，tf分别为30ns，35ns，90ns，30ns，导通和关断时间较低，可实现开关的快速切换。

R8008ANJ功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

开关速度快

栅源电压（V_GSS）可达到±30V

驱动电路很简单

并联使用容易

无铅电镀；符合RoHS标准

R8008ANJ功率MOSFET应用领域：

开关电源

R8008ANJ功率MOSFET订购信息：

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全部评论（1）

yingqiming Lv7. 资深专家 2019-10-31

不错

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