【应用】Littelfuse 1200V SiC MOSFET助力5-10KW风电变桨辅助电源ACDC设计
5-10KW风电变桨电力电源其中的辅助ACDC类型电源，目前基于应用的恶劣环境和三相交流电整流后的500V以上高压，DCDC拓扑部分会选用160mΩ的SiC MOSFET。LITTELFUSE的LSIC1MO120E0160为1200V，160mΩ的SiC MOSFET，具有高性价比，可助力该电源DCDC部分设计。
图1：ACDC拓扑图
当设计功率段为5KW时，DCDC部分可采用4PCS的LSIC1MO120E0160实现。当设计功率段为10KW时，DCDC部分可采用8PCS的LSIC1MO120E0160实现，每路2个并联使用，实现扩容，相对于选择导通电阻80mΩ的Sic MOSFET的设计方式，并联设计更利于整体散热和温升。
LSIC1MO120E0160主要参数：
图2：LSIC1MO120E0160的示意图和TO-247-3L封装实物图
5-10KW风电变桨中的ACDC类型电源采用LSIC1MO120E0160的Sic MOSFET可实现低损耗设计。LSIC1MO120E0160为160mΩ，属于低导通电阻类型Sic MOSFET。特别是驱动设计合理的情况下可进一步优化导通损耗提升系统效率。
因LSIC1MO120E0160为160mΩ的Sic MOSFET， 设计时的开关损耗与驱动电平有很大的关系，故设计驱动时建议正压18V以上。当然采用正压15V也能使用，只是没法实现最低的开通损耗。
关于驱动电平与开通损耗的关系曲线：
淡蓝色曲线（驱动电平﹢20V/-5V）、棕色曲线（驱动电平+18V/-5V）和黄色曲线（驱动电平+18V/0V）的关系示意图。其中负压主要是防止误导通。同样的负压下，正压越高，开通损耗越低。同样的正压下，负压越低，开通损耗也是越低的。因此，正负压的范围设计越宽（在驱动条件范围内），开通损耗就更具优势，也就相当于应用系统效率更高。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由Joshua提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
夏拉 Lv7. 资深专家 2021-01-18学习 -
![]()
![]()
dylen Lv7. 资深专家 2021-01-18学习 -
![]()
![]()
好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-01-18学习
相关推荐
Littelfuse电动汽车无线充电解决方案
电动汽车（EV）无线充电正日益接近现实。只需将车停在充电板上，车辆就会自动充电，而无需插电。本文介绍了Littelfuse如何帮助新型无线电动汽车充电站设计实现安全、高效和可靠。
【应用】Littelfuse SiC MOSFET LSIC1MO120E0160助力有源电力滤波器大幅提升开关频率
传统的有源滤波器通常只能滤除25次及以下次谐波，通常采用IGBT作为主功率器件，开关频率低，滤波效果差。Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160可将开关频率由20kHz提高至100kHz，实现滤波高达50次谐波的有源滤波器设计。
【应用】1200V/160mΩ的SiC MOSFET助力双向OBC小型化设计，可实现300KHz开关频率
本文推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160，耐压1200V，导通电阻160mΩ，助力双向OBC设计。可实现300KHz的开关频率，设计时可减小变压器体积，实现OBC小型化需求，此外产品本身具有高可靠性。
【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案
描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。
型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。
Gate Driver ICs IXYS Integrated Circuits Division
型号- FOS3120SV,IX3180,VO3120-X019T,IX4340UE,HCPL-3120-300E,VO3120-X007T,IXDN604SI,FOD3180S,FOD3210S,FOS3120SDV,IXD_614SI,IX3180GS,HCPL-3180-300E,IXDD604SI,IX21844-EVAL,FOD8332R2V,IRS4428,FOD8332,IRS4426,IRS4427,IXDD604SIA,IXDI614SITR,IXD_614,HCPL-3120-000E,UCC27524D,FOS3120SD,UCC27524DGN,FOD8332R2,IX3120,IXDD614SI,ACPL-332J-500E,IXDN604SITR,IXDF604SITR,IXDN604SIATR,IXDI609SI,IX2113-EVAL,HCPL-3120-560E,IX332BTR,IRS21844,IX4340N,VO3120,IX4340,FOD3180,IX3120G,UCC27524AD,IXD_630,IXDI604SIA,FOS3120V,IXDF604SIATR,IXDN609SITR,IXDD614SITR,TLO350,HCPL-3180-00E,UCC27524ADGN,IXDI609SITR,IXDI604SIATR,C3M0075120J,CGD15SG00D2,IX3120GESTR,FOD8332V,HCPL-3120-360E,TLP350,IX4427M,IXD_604SIA,ACPL-332J-000E,IXDI604SI,IXDF604SI,IXDN614SI,FOD3120,IXD_609SI,IX3120GES,IXDN604SIA,IX4351NE,IX4428N,HCPL-3120-060E,IXDN609SI,HCPL-3120-500E,IX3120GE,2EDN7524R,IX3120GSTR,IXD_604,IXD_609,IXDI604SITR,IXDI614SI,IXDD604SITR,IXDD604SIATR,IX2113,IXD_602,IX3180G,IX3180GSTR,LSICMO120E0080,IRS2113,IXD_600,2EDN7524F,IX4340NE,IX3120GS,IX332B,HCPL-3180-500E,IX21844,IXDN614SITR,FOD3189SD,IXDD609SI,C2M0040120D,HCPL3180,MIC4426,IX4426,IXDD609SITR,MIC4427,IX4427,MIC4428,600 SERIES,IXD_604SI,IXDF604SIA
【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案
描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K
ISOPLUS-SMPD™ & ISOPLUS™ i4-PAC™ Bridging the Gap Between Modules and Discretes Product Brief
型号- MCB60P1200TLB,LSIC1MO120G0025,MCBB60P1200TLB,ITF40PF1200DHGTLB,DCG20BB650LB,DPG60BB600LB
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计
SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。
ISOPLUS-SMPD™ & ISOPLUS™ i4-PAC™ 跨越模块和分立元件之间的差距产品简介
型号- MCB60P1200TLB,LSIC1MO120G0025,MCBB60P1200TLB,ITF40PF1200DHGTLB,DCG20BB650LB,DPG60BB600LB
60W Auxiliary Power Supply Application Note
型号- 1N4148W-TP,P6SMB20ALFCT-ND,TL431AIDBZ,PHE450RD6220JR06L2,72913-2,BZT52C10-7-F,MMBT3904-TP,LSIC1MO170E1000,MMSZ5248B-TP,EEE-1VA220SP,MMBT2222A,DSA30C150PB,STP03D200,RS1M-13-F,B32672L1622,EGXF350ELL152MK25S,EEE-FK1E680P,PBSS4240T,FOD817A3SD,STTH1R02,2220Y2K00104KXTWS2,MMBT2907A-7-F,MKP1848C61060JK2,MMSZ5250B-7-F,UCC28C44DR
【方案】高效率10kw三相光伏逆变器优选元器件方案
描述- 本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC肖特基二极管，Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高。
型号- C4D10120D,T-FLEXHD300,SMBJ,BGM111,LXS,SMDJ,C2M1000170D,1812L,SLM750,SLM152,SC92,PS9402,TGARD500,30R,RBN40H125S1FPQ-A0,EFR32MG,PS9031,60R,LSIC2SD120E10CC,SMAJ,SMCJ,WDU,SMF,SI4438-C,WGM110,MKP,MLX91210,10-FZ12NMA040SH-M267F,2920L,BVS,EFM32JG,SGM2019
【元件】LITTELFUSE推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
LITTELFUSE是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司近日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
Low-Side Gate Driver ICs
型号- IXDN609SI,IXDI609SITR,IXDI604SIATR,IXD_604,IXDN604SI,IXDD614SI,IXD_609,IXDN604SITR,IXDF604SITR,IXDI604SITR,IXDI614SI,IXDD604SITR,IXDD604SIATR,IXDN604SIATR,IXD_602,IXDI609SI,IXD_600,IXD_614SI,IXD_604SIA,IXDN614SITR,IXDI604SI,IX4340,IXDD604SI,IXDF604SI,IXDD609SI,IXDN614SI,IX4426,IXD_630,IXDD604SIA,IXDD609SITR,IXDI614SITR,IXD_614,IXDI604SIA,IXD_609SI,IX4427,IX4428,IXD_604SI,IXDF604SIATR,IXDN609SITR,IXDN604SIA,IXDD614SITR,IXDF604SIA,LSIC1MO120E0080
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论