【产品】具有极高增益的NPN型达林顿晶体管BCV47
世界顶级分立半导体制作商Central Semi (美国中央半导体公司)推出的BCV47 NPN型达林顿晶体管,采用表面安装,由外延平面工艺制造,具有极高增益,尤其适用于需要高增益的应用领域。BCV47 NPN型达林顿晶体管功耗最大为350mW,可以满足用户设计对低功耗的要求。该系列产品有宽的工作温度范围-65˚C~+150˚C,可以很好地适应不同的温度环境。其集电极连续电流为500mA,集电极-发射极电压为60V。
BCV47相关额定参数如下:
当TA=25℃(除特殊说明外)时,BCV47 NPN型达林顿晶体管的电子特性如下:
BCV47 NPN型达林顿晶体管机械尺寸:
BCV47 NPN型达林顿晶体管突出特点与优势
·外延平面工艺
·表面安装
·极高增益
BCV47 NPN型达林顿晶体管应用领域
·高增益的应用
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型号- BCV47
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产品型号
|
品类
|
Status
|
Polarity
|
VCEO(V)
|
PCM
|
IC
|
VCBO(V)
|
VEBO(V)
|
hFE@VCE(V)
|
hFE MIN
|
hFE MAX
|
hFE@IC
|
VCEsat(V)
|
VCE@IC
|
VCE@IB
|
Package
|
MMDT3906_SOT-363
|
双晶体管
|
Active
|
PNP
|
-40
|
200(mW)
|
-200(mA)
|
-40
|
-5
|
-1
|
100
|
300
|
-10(mA)
|
-0.4
|
-50(mA)
|
-5(mA)
|
SOT-363
|
选型表 - 长晶科技 立即选型
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产品型号
|
品类
|
BVCEO(V)Max
|
BVCBO(V)Max
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IC(A)Max
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HfeMIN
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hFEtest_IC(mA)
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hFEtest_VCE(V)
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VCE(Sat)(V)MAX.
|
VCE(Sat)test_IC(mA)
|
VCE(Sat)testIB(mA)
|
fT*Typical(MHz)
|
MMBTA14L-AL3-R
|
NPN SILICON TRANSISTOR
|
30
|
30
|
0.5
|
20000
|
100
|
5
|
1.5
|
100
|
0.1
|
125
|
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