【产品】采用SC-89封装的P沟道增强型MOSFET AM1013，极限漏源电压为-20V

时间： 2019-09-12 来源：AiT

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AIT推出的AM1013是P沟道增强型MOSFET，具有易于驱动、低偏移电压、低电压操作、适合高速电路等优点。在环境温度为 25℃时，AM1013可以承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±6V，在稳定工作状态下，可以承受的极限漏极连续电流为-350mA，结温和储存温度范围为-55~150℃。AM1013采用SC-89封装，其引脚分布如图1所示。

图1 AM1013引脚分布

AM1013产品特性

•TrenchFET功率MOSFET：额定1.8V

•栅源ESD保护：2000V

•用于高边开关器件

•低导通电阻：1.2Ω

•低阈值：0.8V（典型值）

•开关速度快：14ns

•采用SC-89封装

AM1013应用领域

•驱动器：继电器，螺线管，灯，锤子，显示器，存储器

•电池供电系统

•电源转换器电路

•负载/电源切换手机，寻呼机

AM1013订购信息

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