【产品】漏源电压最大额定800V的N沟道MOSFET TMA10N80HG，具有输入阻抗高、驱动功率低、频率特性好等特点
TMA10N80HG是无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET，TC=25℃时，器件漏源电压最大额定值为800V（VGS=0V），持续漏极电流最大额定值为10A，耗散功率最大额定值为25W（TO-220F），栅-源电压最大额定值为±30V，TO-220F封装器件，结到外壳热阻值为5℃/W，结至环境热阻值为62.5℃/W。该器件是一种电流垂直流动的VDMOSFET（垂直双扩散MOS晶体管）压控双扩散器件，在适当的栅极电压控制下，使器件沟道表面产生反型层，在漏极和源极之间形成导电通道，并流有适量的电流。和双极晶体管相比，这种器件开关速度快和开关损耗小，具有输入阻抗高、驱动功率低，频率特性好的特点，特别是其具有负温度系数。器件可应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。
主要特性：
（快速开关）
100%雪崩测试
增强的dv/dt能力
应用领域：
开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）
Note：
1.重复额定值：脉宽受限于最大结温
2.L=10mH, VDD = 50V, RG = 25Ω, Starting TJ = 25℃
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