【技术】碳化硅MOSFET开关管:小小封装,也有乾坤
CREE(现在的WOLFSPEED)是碳化硅功率器件行业的领导者,可提供碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET开关管、碳化硅MOSFET模块。其碳化硅MOSFET开关管更是提供三种封装,分别为TO-220-3、TO-247-3、TO-263-7,如图1所示。
图1:CREE提供的MOSFET开关管封装示意图
封装的不同,有时也另有玄机。那么,小小封装,到底有何乾坤?下面,我们就以TO-247-3和TO-263-7来做一番比较分析。
CREE提供的MOSFET开关管C3M0065090D和C3M0065090J,都具有65毫欧的导通电阻及900V的漏源电压,两者最大的差异只是封装不同。C3M0065090D是TO-247-3封装,而C3M0065090J是TO-263-7封装,又称D2PAK-7L封装,分别如图2和图3所示。
图2:C3M0065090D的TO-247-3封装及引脚示意图
C3M0065090D的TO-247-3封装有3个引脚,分别是1脚栅极、2脚漏极和3脚源极,为直插式封装。C3M0065090J的D2PAK-7L(TO-263-7)封装有7个引脚和一个基体焊盘,分别是1脚栅极,2脚驱动源极,3到7脚为功率源极,基体焊盘为漏极,为表贴式封装。C3M0065090J2脚驱动源极,是一种专门从源极引出的开尔文连接,可降低连接电阻,并使1脚栅极和2脚驱动源极组成的驱动电路回路最小化。而3、4、5、6、7脚为并联的源极,基体焊盘为漏极,可减少寄生电感。这样的好处是提高了器件开关的上升和下降时间,降低了开关损耗。
图3:C3M0065090J的D2PAK-7L封装及引脚示意图
图4是TO-247-3封装的C3M0065090D和D2PAK-7L封装的C3M0065090J的性能对比表,注意,带有开尔文连接的7脚封装具有更快的上升和下降时间,其测试条件为:(VDD=400V Vgs=-3V/15V, Id=20A, Rg=2.5ohm)。
图4:TO-247-3封装的C3M0065090D和D2PAK-7L封装的C3M0065090J性能对比表
图5:TO-247-3封装和D2PAK-7L(7L D2PAK)开关损耗的对比图
图5是TO-247-3封装和D2PAK-7L(7L D2PAK)开关损耗的对比曲线图。值得注意的是,两种封装具有同样65毫欧的导通电阻,但在大电流状态时,由于采用了开尔文连接,7L D2PAK封装比TO-247-3封装的开关损耗要低很多。如在20A时, TO-247-3封装的开关损耗为325µJ,7L D2PAK封装的开关损耗为65µJ。
图6、图7分别是TO-247-3封装的C3M0065090D和D2PAK-7L封装的C3M0065090J的驱动电压Vgs和输出开关电压Vds和电流Id的波形图。由图6对比结果可知,开尔文连接使门极驱动Vgs波形更干净,振铃更小(Rgon=10 ohm)。
图6:驱动电压Vgs的波形图
图7:输出开关电压Vds和电流ID波形图
注意,具有D2PAK-7L封装的C3M0065090J开关损耗更小(Rgon=10ohm and Rgoff=5ohm)。
通过以上分析对比可知,MOSFET开关管D2PAK-7L封装比TO-247-3封装的性能会更好,但两者价格却基本持平,小小封装,确有乾坤,你心动了吗?我告诉你一个小小的秘密,CREE的D2PAK-7L封装的MOSFET开关管,也是特斯拉的选型所爱。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 73
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
相关研发服务和供应服务
评论
全部评论(73)
-
aniu Lv7. 资深专家 2019-08-23学习碳化硅
-
我的名字 Lv7. 资深专家 2019-06-05学习
-
小学生攻城狮 Lv8. 研究员 2019-05-17封装好大
-
用户83734992 Lv6. 高级专家 2019-03-19学习
-
乔峰 Lv7. 资深专家 2019-03-04学习
-
jishizhong Lv9 2019-02-24cree威武
-
铪铪 Lv5. 技术专家 2019-02-24学习
-
duanmaxie Lv8. 研究员 2019-02-23可以
-
用户83734992 Lv6. 高级专家 2019-02-17学习
-
kaka520amy Lv8. 研究员 2019-01-25不错
相关推荐
【选型】20KW充电桩碳化硅MOS管的选型考量
改善的MOS管沿用了TO-247封装的简易安装技术,同时还增加了漏、源引脚之间的爬电距离,提高了电压隔离的安全性。
器件选型 发布时间 : 2017-05-19
HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
罗姆携碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体亮相2024 PCIM Asia,并分享最新功率电子技术成果
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)于8月28日~30日参加在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆D14)。展会上,罗姆聚焦碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体,展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。
原厂动态 发布时间 : 2024-09-07
芯诺科技授权世强硬创,代理整流桥、二极管、MOSFET、TVS、SiC等产品
本次授权的芯诺科技产品主要应用于汽车电子、新能源、工控、电源产品、消费电子等领域。
签约新闻 发布时间 : 2023-11-23
平伟实业全面布局MOSFET、IGBT、碳化硅等产品,荣获“电子信息行业质量提升典型案例”奖
平伟实业大力拓展业务,全面布局中高端芯片(MOSFET,IGBT,碳化硅,氮化镓,射频器件,专用IC等等)。平伟人秉承“平凡的工作,伟大的事业”的理念,30年来坚持脚踏实地,埋头苦干的态度,为行业发展而拼搏,为国家强盛而立志,以实业兴邦,产业报国为己任,为全球半导体产业发展贡献力量。
原厂动态 发布时间 : 2023-12-06
瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖,致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化
2017年,瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立,前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化,现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造(IDM)企业,累计交付核心产品:碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗,驱动芯片约4800万颗,广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。
原厂动态 发布时间 : 2024-08-24
辰达半导体将携MOSFET,二极管,三极管,桥堆,SiC等产品及相关应用方案出席慕尼黑华南电子展
2023华南国际智能制造、先进电子及激光技术博览会(LEAP Expo)旗下成员展——慕尼黑华南电子展(electronica South China)将于10月30-11月1日在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办。作为本次展览会的参展商之一,MDD辰达半导体将在展会现场展示五大产品矩阵,包括MOSFET,二极管,三极管,桥堆,SiC等产品及相关应用方案。
原厂动态 发布时间 : 2023-10-21
【应用】SiC MOSFET在光伏逆变器中替代IGBT单管做BOOST电路
Littelfuse推出的一款80mΩ/1200V的SiC MOS管 LSIC1MO120E0080,采用的是TO-247-3封装,开通时间仅为10ns,关断时间16ns,栅极电荷Qg低至95nC。
新应用 发布时间 : 2018-03-06
苏州固锝携STD、FRED、MOSFET、IGBT、SiC等系列产品亮相AUTO TECH 2024 华南展
本届展会聚焦汽车智能化与电动化,亚洲领先的汽车工业技术博览会为整车研发与零部件采购赋能,以“绿色发展,科技创新”为主题,汇聚超过500家参展企业。苏州固锝在本次展会上展示了STD、FRED、MOSFET、IGBT、SiC等系列新产品的同时,也将汽车电子应用领域的设计方案展现给了广大观展群体。
原厂动态 发布时间 : 2024-05-24
华轩阳电子17款电压等级从650至1700V不等的碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域
碳化硅(SiC)功率器件已在全球工业和新能源汽车领域展现出了强大的竞争优势。华轩阳电子研发生产的17款高性能碳化硅MOSFET产品系列,这些产品凭借其出色的VDSS、RDON和ID参数范围,以及TO247封装形式,为不同应用需求提供了最佳解决方案。
应用方案 发布时间 : 2024-04-10
强茂2023-2024回顾与展望:在MOSFET、碳化硅器件、IGBT等核心领域具有卓越表现
强茂营运长陈佐铭近日接受Bodo‘s功率系统访谈,分享了强茂2023年在电力电子和功率半导体领域的重要成就。陈营运长强调公司在MOSFET、碳化硅器件、IGBT核心领域的卓越表现。也提出了在欧美车用市场的战略布局上取得的突破性进展,以及强茂在新能源、汽车电子化和工业自动化等领域的研发努力。陈营运长表达了强茂对于2024年的期许,强调将更加乐观并预期新能源车、可再生能源和IC市场将带来新的成长机会。
原厂动态 发布时间 : 2024-02-27
ROHM(罗姆)SIC碳化硅功率元器件介绍
描述- 在功率元器件领域,碳化硅作为新一代材料备受瞩目。与以往的硅(Si)材料元器件相比,碳化硅(SiC)材料功率元器件可以实现低导通电阻、高速开关、高温作业。碳化硅元器件活跃于各种领域, 包括电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费类电子设备等。
【产品】导通阻抗仅0.033Ω!2合1封装MOS管让能效更高
PDM系列开启时间最短为0.16us,关闭时间最短为0.23us,适合高速开关设计。
新产品 发布时间 : 2017-05-27
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论