【产品】4M-bit超低功耗串行多I/O闪存TH25D-40HB，支持标准串行外围接口及双路SPI

2021-11-25 紫光青藤
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紫光青藤推出的4M-bit超低功耗串行多I/O闪存TH25D-40HB，支持标准串行外围接口（SPI），并支持双路SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、WP#。双路I/O数据以208Mbits/s的速度传输。


TH25D-40HB产品接线图


产品特征

◆4M-bit串行闪存

-512K字节

-每个可编程页256字节

◆标准、双路SPI

-标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#

-双路SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#

◆高速时钟频率

-104MHz，可在30PF负载下快速读取

-双路I/O数据传输速率高达208Mbits/s

◆软件/硬件写保护

-通过软件写入保护所有/部分存储单元

-使用WP＃引脚启用/禁用保护

-顶部/底部块保护

◆至少100,000个编程/擦除循环

◆数据保留

-20年数据保留（典型值）

◆快速编程/擦除速度

-页编程时间：典型值为1.1ms

-扇区擦除时间：典型值为2.6ms

-块擦除时间：典型值为2.6ms

-芯片擦除时间：典型值为5.2ms

◆灵活的结构

-4K字节的统一扇区

-32/64K字节的统一块

◆低功耗

-0.65μA典型深度省电状态

-8μA典型待机电流

◆高级安全功能

-每个设备唯一的128-bit ID

-带OTP锁的3x512字节安全寄存器

-SFDP寄存器

◆单电源电压

-全电压范围：2.7~3.6V

◆封装信息

-SOP8（150mil）

-SOP8（208mil）

-TSSOP8（173mil）

-WSON8（6*5mm）


技术顾问：零点
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
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超低功耗串行多I/O闪存 TH25D-40HB 紫光青藤 管状电机

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