【产品】4M-bit超低功耗串行多I/O闪存TH25D-40HB，支持标准串行外围接口及双路SPI
紫光青藤推出的4M-bit超低功耗串行多I/O闪存TH25D-40HB，支持标准串行外围接口（SPI），并支持双路SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、WP#。双路I/O数据以208Mbits/s的速度传输。
TH25D-40HB产品接线图
产品特征
◆4M-bit串行闪存
-512K字节
-每个可编程页256字节
◆标准、双路SPI
-标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#
-双路SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#
◆高速时钟频率
-104MHz，可在30PF负载下快速读取
-双路I/O数据传输速率高达208Mbits/s
◆软件/硬件写保护
-通过软件写入保护所有/部分存储单元
-使用WP＃引脚启用/禁用保护
-顶部/底部块保护
◆至少100,000个编程/擦除循环
◆数据保留
-20年数据保留（典型值）
◆快速编程/擦除速度
-页编程时间：典型值为1.1ms
-扇区擦除时间：典型值为2.6ms
-块擦除时间：典型值为2.6ms
-芯片擦除时间：典型值为5.2ms
◆灵活的结构
-4K字节的统一扇区
-32/64K字节的统一块
◆低功耗
-0.65μA典型深度省电状态
-8μA典型待机电流
◆高级安全功能
-每个设备唯一的128-bit ID
-带OTP锁的3x512字节安全寄存器
-SFDP寄存器
◆单电源电压
-全电压范围：2.7~3.6V
◆封装信息
-SOP8（150mil）
-SOP8（208mil）
-TSSOP8（173mil）
-WSON8（6*5mm）
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Topaz翻译自紫光青藤，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
紫光青藤TMS-Z13扫码芯片具有自主知识产权，可提供更高的主频和更低的功耗，满足商业零售、消费等需求
紫光青藤聚焦机器视觉与人工智能领域，坚持技术为本，自主研发图像识别芯片和核心算法，拥有多项发明专利，并基于核心技术向最终用户提供完整解决方案。产品已广泛应用于商业零售、消费、智慧物流、智慧工业等多个领域，可灵活满足客户多样化的应用需求。
【产品】操作电压2.3V~3.60V的串行接口闪存TH25D-40HA，1.3ms页编程时间
TH25D-40HA是一款串行接口闪存器件，设计用于各种基于消费者的大容量应用，其中程序代码从闪存中隐藏到嵌入式或外部RAM中以供执行。该器件灵活的擦除架构，以及其页面擦除粒度，非常适合数据存储，消除了对额外数据存储器件的需求。
【产品】串行接口Flash存储器装置TH25Q-16U，支持读取、编程和擦除操作，电源电压1.65~3.6V
TH25Q-16U是一种串行接口Flash存储器装置，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从Flash存储器映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需求。
TH25Q-16HB超低功耗、16M位串行多I/O闪存产品介绍
描述- 本资料为TSINGTENG Microsystem Co., Ltd生产的TH25Q-16HB超低功耗串行多I/O闪存的数据手册。该产品具有宽供电范围（2.7至3.6V）、极低功耗、支持X1、X2和X4多I/O操作，具备高可靠性（100K次循环和20年数据保留）。文档详细介绍了产品的功能特性、电气特性、内存组织结构、设备操作方式、数据保护机制、状态寄存器定义以及各种命令说明。
型号- TH25Q-16HB,TH25Q–16HB–WFAI
TH25Q-80HA超低功耗8M位串行多I/O闪存产品介绍
描述- 本资料为TH25Q-80HA超低功耗串行多I/O闪存的数据手册。该产品具有宽电压范围（2.3至3.6V）、超低功耗、支持X1、X2和X4多I/O模式等特点，适用于多种高容量消费类应用。
型号- TH25Q-80HA-WFAI,TH25Q-80HA
TH25Q-80HB超低功耗、8M位串行多I/O闪存数据表
描述- 本资料为TH25Q-80HB超低功耗8M位串行多I/O闪存的数据手册。该产品具有宽电压范围（2.3至3.6V）、超低功耗、支持X1、X2和X4多I/O操作，并具备高可靠性，可进行100K次循环和20年数据保留。
型号- TH25Q–80HB–WFAI,TH25Q-80HB
TH25D-40HA超低功耗4M位串行多I/O闪存产品介绍
描述- 本资料为TH25D-40HA超低功耗、4M位串行多I/O闪存的数据手册。该器件适用于多种高容量消费类应用，支持2.3V至3.6V宽电压范围读写操作，具有极低的读、擦除和编程功耗，提供X1和X2多I/O模式选择，具备高达100K次循环寿命和20年数据保留的高可靠性。
型号- TH25D-40HA,TH25D–40HA–WFAI
TH25Q-40UA超低功耗4M位串行多I/O闪存产品介绍
描述- 本资料为TH25Q-40UA串行多I/O闪存的数据手册。该产品具有宽电压范围（1.65至3.6V）、超低功耗、支持X1、X2和X4多I/O模式，并具备高可靠性（100K次循环和20年数据保留）。它适用于各种消费类应用，提供灵活的代码和数据存储架构。
型号- TH25Q-40UA,TH25Q–40UA–WFAI
TH25Q-16UB超低功耗、16M位串行多I/O闪存数据表
描述- 本资料为TH25Q-16UB超低功耗串行多I/O闪存的数据手册。该产品具备宽电压范围（1.65至3.6V）、超低功耗、支持X1、X2和X4多I/O模式，具有高可靠性（100K次循环和20年数据保留）。此外，还提供了详细的电气特性、操作说明、数据保护方法和状态寄存器功能。
型号- TH25Q-16UB,TH25Q–16UB–WFAI
TH25D-20LA超低功耗2M位串行多I/O闪存产品介绍
描述- 本资料为TSINGTENG Microsystem Co., Ltd生产的TH25D-20LA超低功耗、2M位串行多I/O闪存芯片的数据手册。该芯片具有宽供电范围（1.65至2.0V）、超低功耗读写擦除特性，支持X1和X2多I/O模式，具备高可靠性（100K次循环和20年数据保留）。适用于多种消费类应用，提供灵活的代码和数据存储架构。
型号- TH25D–20LA–WFAI,TH25D-20LA
TH25Q-40LA超低功耗4M位串行多I/O闪存产品介绍
描述- 本资料为TH25Q-40LA串行多I/O闪存的数据手册。该器件适用于多种高容量消费类应用，支持1.65至2.0V宽电压范围读写擦除操作，具有超低功耗、高可靠性的特点。它提供单、双和四倍速I/O模式，并具备灵活的架构以适应代码和数据存储需求。
型号- TH25Q–40LA–WFAI,TH25Q-40LA
TH25Q-40HA超低功耗、4M位串行多I/O闪存数据表
描述- 本资料为TH25Q-40HA超低功耗串行多I/O闪存的数据手册。该产品具有宽供电范围（2.3至3.6V）、超低功耗、支持X1、X2和X4多I/O模式，具备高可靠性（100K次循环和20年数据保留）。适用于多种消费类应用，提供灵活的代码和数据存储架构。
型号- TH25Q-40HA,TH25Q–40HA–WFAI
电子商城
现货市场
服务
可定制电感最大电流100A，尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm，工作频率100KHZ ~ 2MHZ，感值范围：0.15 ~ 100uh；支持大功率电感，扁平线电感，大电流电感，高频电感，汽车电感器，车规电感，一体成型电感等定制。
最小起订量： 5000 提交需求>
可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论