【技术】解析Solution Circuit的PFC仿真电路
本文主要解析Solution Circuit的PFC仿真电路。首先简单介绍一下如何访问“ROHM Solution Simulator”和“Power Device Solution Circuit”。单击这里进入“ROHM Solution Simulator”的入口页面。也可以通过单击ROHM官网首页的下拉菜单“技术支持”→“设计”→“模拟/计算工具”→“ROHM Solution Simulator”进入同一页面。从该页面可以访问各种Solution Circuit。
ROHM Solution Simulator的页面上有“用户操作手册”和ROHM Solution Simulator的“白皮书”链接,可以参阅这些资料来了解使用方法和功能的详细介绍。
ROHM Solution Simulator页面中列出了电路仿真用的“Solution Circuit”。目前主要分“Power Device Solution Circuit”和“ICs Solution Circuit”两大类(图1)。
图1:Solution Circuit一览(网页截图)
点击“Power Device Solution Circuit”下方的“AC-DC PFC”即可显示PFC仿真电路一览(图2)。提供的PFC仿真电路包括常用的临界模式(BCM)、连续模式(CCM)、不连续模式(DCM)等工作模式以及大功率三相PFC电路。不仅如此,其中还包括PFC仿真电路基本的单驱动、交错驱动、同步整流、无桥、Totem-pole等多种电路,目前共有19种可供选择。
图2:Power Device Solution Circuit的PFC仿真电路一览(网页截图)
还有一种访问路径,即还可以从各元器件的产品页面访问仿真电路(仅限已提供的电路)。在本系列文章中作为示例使用的PFC电路中,功率器件使用SCT2450KE(SiC MOSFET:1200V/10A)和SCS302AH(SiC SBD:650V/2A)。单击各产品页面上的“设计资源”标签即可打开可以使用的模型和工具列表。如果已经基本确定了要考虑采用的产品,也可以按照该路径访问。
如果要使用“ROHM Solution Simulator”,需要注册MyROHM。如果已经注册,请在登录后点击要使用的仿真电路。如果没有登录,将会在过程中被提示登录。注册了MyROHM后,不仅可以使用“ROHM Solution Simulator”,还可以接收电子杂志、保存参数搜索设置、以及使用咨询功能,欢迎注册使用。
后续将会具体示范使用仿真电路改变参数等进行优化的操作。在这里将省略基本的操作方法,第一次使用“ROHM Solution Simulator”的各位请参考“用户操作手册”先尝试运行一下仿真器。操作很简单。
关键要点
• ROHM Solution Simulator页面有仿真相关的信息,并且可以启动各种仿真。
• 如果已经大致确定了要考虑采用的产品,也可以通过产品页面直接访问可用的仿真工具。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由天星转载自ROHM,原文标题为:R课堂 | Solution Circuit的PFC仿真电路,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:图腾柱PFC实机评估
本文将介绍在相同的BEV电源架构的组成模块之一—OBC的双向图腾柱PFC中使用第4代SiC MOSFET时的实验结果。图腾柱PFC是作为可提高效率的PFC转换器在近年来备受关注的拓扑。另外,为了微电网系统更加稳定,并促进供需平衡,全球范围都在研究V2G(Vehicle To Grid),双向工作也变得越发重要。
设计经验 发布时间 : 2024-07-14
【经验】以SCT2160KEC为例说明SiC MOSFET误开通的现象和规避方法
本文主要介绍SiC MOSFET误开通的现象和规避方法。想要了解SiC MOSFET误开通,首先得了解Sic MOSFET的相关参数。本文中以ROHM的SCT2160KEC为例进行介绍,这是一款1200V/160mΩ的SiC MOSFET。
设计经验 发布时间 : 2020-01-25
SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文的关键要点:可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割,并使用示例公式进行损耗的近似计算;MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。
设计经验 发布时间 : 2024-07-12
ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)
描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件,轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能,并能进一步推动功率元器件的使用。
产品 发布时间 : 2024-09-15
ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
SCT2H12NZ 1700V高耐压SiC MOSFET
型号- SCT2280KE,SCT212AF,SCT2450KE,SCT2160KEAHR,SCT2450KEAHR,SCT2H12NZ,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3040KL,SCT3030KL,BD7682FJ-LB-EVK-402,SCH2080KE,SCT2H12NYSCT2750NY,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCT2160KE
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前,搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上,有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
应用方案 发布时间 : 2024-08-30
Bare Die SiC from ROHM Chosen by Apex Microtechnology for Newest Line of Power Modules, Saving Space and Increasing Performance
Apex Microtechnology is adopting ROHM’s SiC MOSFETs and SiC SBD for a new line of power modules. ROHM’s 1,200V S4101 SiC MOSFETs and 650V S6203 SiC SBD are supplied in bare die form, enabling Apex to save space and increase the performance and reliability of its modules.
原厂动态 发布时间 : 2023-03-22
SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-25
ROHM 4th Gen SiC MOSFET Simulation Models for PSIM™ Now Available
ROHM has begun offering 4th Gen SiC MOSFET simulation models compatible with PSIM™, a circuit simulator designed for power electronics and motor drive developed by Altair®. Designers can now easily download model files to perform system-level evaluations, allowing for efficient design and evaluation across a wire range of industrial sectors, further promoting the use of power devices.
产品 发布时间 : 2024-08-02
4th Gen SiC MOSFETs Discrete Package: Characteristics and Precautions for Circuit Design Application Note
型号- SCT4062KR,SCT4XXXXXXXXE,SCT4XXXXXXXR SERIES,P04SCT4018KE-EVK-001,SCT4036KR,SCT3040KR,P05SCT4018KR-EVK-001,SCT3XXXX,SCT4XXXXXXXR,SCT4018KR,SCT4026DR,BM61M41RFV-C,SCT4XXXXXXXXE SERIES,P04SCT4018KR-EVK-001,SCT4XXXX,SCT4036KE
SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法
关于根据开关波形计算功率损耗的方法,本文中ROHM将为大家介绍SiC MOSFET开关波形的测量方法。近年来,一些示波器已经具备可以自动计算并显示所观测波形的功率损耗的功能,但如果没有该功能,就需要通过测得的波形来计算损耗了。为此,需要了解具体的测量方法和波形。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-11
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论