【产品】采用沟槽式技术的双通道N沟道增强型MOSFET AP138KDW，封装为Sot-363
铨力半导体推出采用先进的沟槽式技术的双通道N沟道增强型MOSFET AP138KDW，采用Sot-363封装。适用于接口切换、ON/OFF开关、逻辑电平转换。
特点
●50V，0.4A
◆RDS（ON）<2.8Ω@VGS=10V（典型值）：1.4Ω
◆RDS（ON）<4.0Ω@VGS=4.5V（典型值）：1.8Ω
◆RDS（On）<4.5Ω@VGS=3.3V（典型值）：2.2Ω
●先进的沟槽式技术
●5V逻辑电平控制
●获得无铅产品
●ESD保护
应用
接口切换
ON/OFF开关
逻辑电平转换
包装标识和订购信息
绝对最高额定值（Ta=25℃ 除非另有说明）
MOSFET电气特性（Ta=25℃ 除非另有说明）
Notes：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2、脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2％
3、表面贴装在FR4板，t≤10sec
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