【产品】N沟道增强型场效应晶体管YJL3134KT，漏源电压最大额定值为20V
扬杰科技推出的YJL3134KT型N沟道增强型场效应晶体管，漏源电压最大额定值为20V，栅源电压最大额定值为±12V。TA= 25℃，稳态条件下，晶体管的漏极电流可达0.75A，脉冲漏极电流最大额定值为3.5A（重复额定值：脉冲宽度受最大结温的限制）。晶体管采用SOT-723封装，采用沟道功率低压MOSFET技术，符合RoHS标准。产品可用于负载/电源开关，接口开关和逻辑电平转换等领域。
YJL3134KT在TA= 25℃条件下的总耗散功率为0.18W。器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。
图1 产品外观和内部电路图
产品特征：
漏源电压最大额定值为20V
漏极电流（TA = 25℃，稳态）可达0.75A
采用沟道功率低压MOSFET技术
静态漏源导通电阻不超过260mΩ（VGS=4.5V）;
静态漏源导通电阻不超过360mΩ（VGS=2.5V）;
高功率和电流承受能力
ESD保护高达4.0KV（HBM）
应用领域：
●负载/电源开关
●接口开关
●逻辑电平转换
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