【产品】2Gb高速DDR3L同步动态随机存取存储器AS4C256M8D3LB,78-ball FBGA封装
AS4C256M8D3LB是一款由美国ALLIANCE Memory公司推出的高速DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM),其总容量可达2Gb,由8组DRAM内存构成,结构为32Mbit x 8 I/Os x 8组DRAM。对于一般应用,其双倍数据传输速率特性,可使数据传输速率可达到1600Mb/sec/pin。
这款产品在设计上完全依照了DDR3L DRAM的关键特性,由一对外部提供的差分时钟来实现所有控制和地址输入的同步。输入在差分时钟信号的交叉点(CK上升,CK#下降)被锁存。所有的I/O接口使用源同步的方式,通过一对差分DQS进行同步。由单电源1.35V-0.067V/+0.1V供电,在BGA封装中也适用。
DDR3L同步动态随机存取存储器AS4C256M8D3LB主要特征:
• 符合JEDEC标准
• 电源VDD和VDDQ=+1.35V(1.283V~1.45V)
• 工作温度范围
-商用款TC=0~+95°C
-工业款TC=-40~+95°C
• 符合JEDEC时钟振荡频率规范
• 完全同步工作
• 频率高达800MHz的时钟频率
• 8组内存并行工作
• 8比特预取架构
• 预充电和主动断电
• 可编程模式寄存器和扩展模式寄存器
• 附加延时AL可设置为0,CL-1,CL-2
• 可编程突发操作长度:4或8比特
• 突发操作模式:顺序或交错模式
• 平均刷新周期
-8192 刷新周期/64ms (7.8us at -40°C ≦ TC ≦ +85°C)
- 8192刷新周期/32ms (3.9us at +85°C ≦ TC ≦ +95°C)
• ZQ校准
• 动态ODT
• 符合RoHS标准
• 自动刷新和自刷新功能
• 78-ball 8 x 10.5 x 1.2mm FBGA封装
-无铅无卤素
表1 速度等级信息
表2 订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由董慧翻译自Alliance,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】32M×16bit的高速DDR2 SDRAM内存AS4C32M16D2B, 提供工业款和商用款
AS4C32M16D2B是Alliance公司推出的一款全新产品,其全称为高速CMOS DDR2同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该内存产品容量达到512Mb,并配置16位数据宽度的I/O接口,内部结构由4组DRAM构成。这款内存按照工作温度范围可分为商用款(AS4C32M16D2B-25BCN)和工业款(AS4C32M16D2B-25BIN)两种型号。
新产品 发布时间 : 2018-11-03
【产品】8Gbit双倍数据速率DDR3L同步DRAM(SDRAM)AS4C1G8D3LA,78-ball FPGA封装
Alliance Memory推出了一款结构为128M words x 8 bits x 8 banks、双倍数据速率(DDR3L)同步DRAM(SDRAM)AS4C1G8D3LA。采用双倍数据速率架构,每个时钟周期可传输两次数据,8位预流水线结构可实现高速数据传输。
新产品 发布时间 : 2020-03-24
【产品】64M x 16 bit 的大容量DDR3L SDRAM,容量达到1Gb
AS4C64M16D3LB是一款由美国Alliance Memory公司全新推出的一款64M x 16 bit 的大容量DDR3L SDRAM内存,工作电压降低到了+1.35V,其功率损耗也相应的变得更低,更为节能。高速度传输和读写速度的同时,该内存的总容量也达到了1Gb。分为商业款(AS4C64M16D3LB-12BCN)和工业款(AS4C64M16D3LB-12BIN)两种型号。
新产品 发布时间 : 2018-11-30
AS4C256M16D3LC 256M x 16 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C256M16D3LC-10BAN,AS4C256M16D3LC-12BANXX,AS4C256M16D3LC,AS4C256M16D3LC-10BANXX,AS4C256M16D3LC-12BAN
AS4C256M8D3LC 256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C256M8D3LC,AS4C256M8D3LC-12BIN,AS4C256M8D3LC-12BC/INXX,AS4C256M8D3LC-12BCN
Reliability Qualification Report for AS4C1G8MD3LA-xxBxN AS4C512M16D3LA-xxBxN(25nm 8Gb DDR3L SDRAM)
型号- AS4C1G8MD3LA-XXBXN,AS4C1G8D3LA-XXBIN,AS4C512M16D3LA-XXBCN,AS4C512M16D3LA-XXBXN,AS4C1G8D3LA-XXBCN,AS4C512M16D3LA-XXBIN
AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB-12BCN 256M x 8 bit DDR3L Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C256M8D3LB-12BIN,AS4C256M8D3LB,AS4C256M8D3LB-12BCN
Alliance Memory 512Mb (x8 and x16) DDR3 and DDR3L SDRAMs in the 78-ball and 96-ball FBGA Packages
Alliance Memory announced that it has expanded the industry’s widest offering of high-speed CMOS DDR3 and low-voltage DDR3L SDRAMs with new 512Mb, x8 and x16 devices in the 78-ball and 96-ball FBGA packages, respectively.
产品 发布时间 : 2023-09-11
第三代高速SRAM、SDRAM,数据传输率可达1600Mb
第三代高速双倍数据率同步动态随机存取存储器—AS4C64M16D3-12BAN震撼来袭!
新产品 发布时间 : 2016-05-18
Alliance Memory Announced Dual-Die 8Gb DDR3L SDRAMs AS4C1G8D3LA and AS4C512M16D3LA in 78-Ball and 96-Ball FBGA Packages
The DDR3L SDRAMs provide speed of 10ns, extremely fast data rates of 1866Mbps, and clock rates of 933MHz. Operating from a single +1.35V power supply, with backward compatibility to 1.5V, the SDRAMs are optimized for main memory applications in laptops, desktops, servers, and embedded/industrial designs.
产品 发布时间 : 2023-12-03
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论