【选型】5G基站射频天线开关电源boost升压续流设计推荐肖特基二极管EC21QS10-TE12L
3kW 5G基站通信电源中射频天线开关电源采用28V输入，60V/0.5A输出，采用经典boost升压电路设计，包括高速开关MOSFET+续流二极管+电感L+整流开关二极管，其中续流二极管选型因素参考如下：
1、耐压VRRM：通用选型方法可参考MOSFET耐压，也可以通过输出母线电压60V预估，考虑纹波电压影响，以最高1.5倍过压考量（实际设计会有滤波处理，纹波不会太大），选择耐压90V以上续流二极管更安全可靠；
2、正向导通电流：考虑boost输出电流0.5A，以及电感上的纹波电流，建议选择1A以上的电流相对安全，该值越大越好；
3、低VF
4、小尺寸封装
针对如上设计需求，推荐KYOCERA（京瓷）肖特基二极管EC21QS10-TE12L，采用DO-214AC (SMA)封装，其最大反向重复峰值电压VRRM达100V，最大平均正向整流电流为2A，工作温度范围-40℃~150℃，典型电性参数参考如下图示。
图1：KYOCERA（京瓷）肖特基二极管EC21QS10-TE12L相关电性参数示意图
推荐KYOCERA（京瓷）肖特基二极管EC21QS10-TE12L理由如下：
1、小尺寸：采用DO-214AC (SMA)封装，典型封装尺寸5×2.5×2mm，满足小型化设计需求；
2、低正向峰值电压VF：最大值0.85V，可降低所需电压的条件，有利于电路启动；
3、低IR：最大反向饱和漏电流低至1mA，热损耗更低，具有更高的可靠性；
4、低结壳热阻：Rth最大仅23℃/W，具有出色的散热能力；
5、世强平台常备库存，具有良好的供货交期，可以快速支持样品和量产服务。
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