【产品】采用SOT-563封装的NPN/PNP晶体管,专为极高电压应用设计
Central Semiconductor (简称Central)公司是美国中央半导体公司,半导体产品处于世界领先水平,其运营团队提供最高水平的技术支持,出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的晶体管——CMLTA44与CMLTA94,采用节省空间的SOT-563表面贴装封装,环氧树脂模塑,两款产品的集电极连续电流均为300mA, 最大功耗均为250mW,集电极-基极电压最高达450V,依靠极高的电压特性,专为极高压的应用而设计。其中CMLTA44为NPN晶体管,CMLTA94为PNP晶体管。其产品实物图如图1所示。
图1.CMLTA44与CMLTA94晶体管产品实物图
CMLTA44与CMLTA94两款产品的集电极-基极电压VCBO分别为450V和400V,集电极-发射极电压VCEO均为400V,发射极-基极电压VEBO均为6.0V。另外,其工作和存储结温的范围均为-65 °C~+150 °C,结壳热阻最大值均为500°C/W,具有耐高/低温的能力,适应性能强,在恶劣的环境条件下也可正常工作,这提高了其在各个电路设计中的可靠性。其两款产品的封装尺寸、引脚说明图如图2所示。
图2.CMLTA44与CMLTA94晶体管的封装尺寸、引脚说明图
另外,两款产品的特征频率典型值fT均为20MHz(VCE=10V, IC=10mA, f=10MHz),当IC=1.0mA, IB=0.1mA时,集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值均为0.40V。极间电容Cob最大值均为7.0pF(VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz)。产品具有很好的频率特性,充放电时间短,开关损耗低。
CMLTA44与CMLTA94晶体管的主要特点:
• 集电极-基极电压VCBO分别为450V和400V
• 集电极-发射极电压VCEO均为400V
• 发射极-基极电压VEBO均为6.0V
• 其耗散功率PD最高均为250W(TA=25℃)
• 集电极连续电流IC均为300mA
• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C
• 结壳热阻最高均为500°C/W
• 采用SOT-563封装
CMLTA44与CMLTA94晶体管的典型应用:
• 极高电压应用
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由JusT提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】100V/5A的大电流PNP晶体管模块
Central推出的CP753V-CZT953系列产品,是以芯片形式提供的专为大电流应用而设计的PNP晶体管模块,具有高可靠性,高电压、高电流和较低的VCE(SAT),非常适用于需要高电流的应用领域,如电池驱动、手持设备等。
【产品】采用SOT-89封装的高电流硅NPN晶体管CXT5551HC,集电极连续电流IC为1.0A
Central公司推出的高电流NPN硅晶体管——CXT5551HC,均采用SOT-89封装,采用外延平面工艺制造,环氧树脂模塑,表面贴装封装,集电极-基极击穿电压VCBO为180V,低漏电流ICBO的最大值为50nA。主要应用于高压和大电流放大器等领域。
【产品】采用SOT-223贴片型封装的表面硅NPN晶体管CZT5551,适用于高压、高频放大器
CZT5551是Central Semiconductor推出的一款NPN晶体管,其使用外延平面工艺生产,封装结构选用SOT-223贴片型,采用环氧树脂封装。机械优点有体积小,重量轻,绝缘好,壳体热阻低,坚固耐用等。25°C时,集电极基极电压VCBO为180V,集电极发射极电压VCEO为160V,发射极基极电压VEBO为6.0V。另外,其持续集电极电流为600mA。能够满足较高电压应用环境。
BCW65 SERIES BCW66 SERIES SURFACE MOUNT SILICON NPN TRANSISTORS
型号- BCW65 SERIES,BCW65,BCW65A,BCW65B,BCW65C,BCW66,BCW66F,BCW66 SERIES,BCW66G,BCW66H
【产品】50V/200mA、TO-92插针封装的BC212系列硅PNP晶体管
BC212系列是Central Semi(美国中央半导体公司)推出的硅PNP晶体管,型号包括BC212,BC212A和BC212B,专为低噪声、高增益放大器应用而设计。BC212系列硅PNP晶体管的封装形式为TO-92插针封装,1引脚为集电极,2引脚为基极,3引脚为发射极。
【产品】采用SOT-89封装的硅NPN/PNP晶体管CXT491E和CXT591E,专为高电流,通用放大器应用而设
Central公司推出的晶体管——CXT491E与CXT591E,均为高性能高电流的晶体管,其中CXT491E为NPN晶体管,CXT591E为PNP晶体管。其系列采用外延平面工艺制造,环氧树脂模塑,表面贴装封装,采用SOT-89封装。其两款产品的连续集电极电流均为1.0A, 最大功耗均为1.2W。应用于高电流的通用放大器领域。
【产品】集成肖特基二极管、单NPN晶体管的模拟集成IC CMLM3405,适用于小信号应用
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商,Central推出的CMLM3405是一款集成了一个NPN晶体管和一个肖特基二极管的集成芯片,采用节省空间的SOT-563外壳封装,实物如图1所示,专为小尺寸和工作效率为主要考虑因素的小型信号通用应用而设计。
【产品】采用SOT-89封装的硅NPN晶体管CXT5401、CXT5401E,专为高压放大器应用而设计
Central公司推出的一系列硅PNP晶体管——CXT5401、CXT5401E,CXT5401采用外延平面工艺制造,环氧树脂模塑,表面贴装封装,均采用SOT-89封装,工作及存储结温范围为-65°C~+150°C,该系列器件专为高压放大器应用而设计。
【产品】专为通用放大器应用的硅PNP晶体管BC177,BC177A和BC177B
Central推出的BC177,BC177A和BC177B是硅PNP晶体管。采用TO-18封装方式封装,专为通用放大器应用而设计,具有低功耗、低饱和压降等特点。
【产品】三款采用SOT-89封装的硅晶体管,功率损耗仅为1.2W,助力高电压产品应用
Central Semiconductor公司推出的一系列环氧模塑硅晶体管——CXTA42,CXTA92,采用外延平面工艺生产,表面贴装。而CXTA27型是一种NPN硅达林顿晶体管,也采用外延平面工艺生产和环氧树脂模塑,表面贴装封装。CXTA42、CXTA92和CXTA27均采用SOT-89封装,其主要应用于极高电压和高增益能力的应用。
【产品】饱和压降低至76mV,3A大电流功率型PNP晶体管
世界顶级分立半导体制作商Central Semi (美国中央半导体公司)推出的CZT7090L和CZT7090LE功率PNP晶体管,主打低饱和电压(VCE(SAT))和高集电极电流的特性,其中,CZT7090LE是CZT7090L的增强型,性能参数更为优异。首先,两款芯片均采用功率型SOT-223表贴式封装,封装尺寸6.3*6.7*1.5mm,非常节省PCB空间。
The following PNP transistors are discontinued and are now classified as End of Life (EOL)(PDN01261)
型号- BFX87,2N3072,2N2904,2N2904A,BFX88,2N2927,2N3120,40406,2N3133
电子商城
品牌:Central Semiconductor
品类:SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
价格:
现货: 10
品牌:Central Semiconductor
品类:SURFACE MOUNT SILICON PNP TRANSISTORS
价格:
现货: 0
现货市场
服务
可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
提交需求>
布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制,最小晶粒高度:0.3 mm; 最小横截面:0.2 mm; 最小节距:0.15 mm;能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论