【选型】力特1200V/80、160mΩ SiC MOSFET可对标CREE C2M008/160120D

时间： 2020-09-02 来源：世强

SiC MOSFET,LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160,C2M0080120D

相比于Si器件，SiC器件具有宽禁带，高电场和高热导率特性，规格为1200V/80mΩ和160mΩ的SiC MOSFET，主要应用于车载DC/DC、OBC、充电桩和光伏MPPT等应用市场。

图1:参考的光伏MPPT和DCDC拓扑

基于市场需求的变化和SiC MOSFET产品的交期加长等因素，当WOLFSPEED的C2M0080120D/C2M0160120D出现缺货状态时，推荐LITTELFUSE的LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160作为备选。

图2：LSIC1MO120E0080和C2M0080120D的封装和规格信息

图3：LSIC1MO120E0160和C2M0160120D的封装和规格信息

C2M0080120D和LSIC1MO120E0080器件的主要参数：

C2M0160120D和LSIC1MO120E0160器件的主要参数：

1：承受功耗上更具优势

漏源极击穿电压越高，器件的耐压冲击性能就越好，型号均是1200V的耐压规格，标准的导通电阻也是80mΩ和160mΩ，160mΩ的单体能承受的功耗均是125W，两者在基本功耗性能上是没有明显的差异。80mΩ的LSIC1MO120E0080单体能承受的功耗均是214W，比C2M0080120D高22W，产品可适用更高的功耗等级。

2：更低的开关损耗

LSIC1MO120E0160的开通损耗Eon是77μJ，相比于C2M0160120D的121μJ，相当于优化了36%。

LSIC1MO120E0080的开通损耗Eon是220μJ，关断损耗Eoff是32μJ，相比于C2M0080120D的开通损耗Eon为523μJ，关断损耗Eoff为72μJ，LSIC1MO120E0080的开通和关断的损耗具有成倍的优势，开通和关断损耗低，产品的应用效率和温升特性就更具有优势。

3：更高的电流能力

LSIC1MO120E0160的导通电流规格在TC =25℃时为22A，在TC=100℃时是14A，相比C2M0160120D的18A和12A，通流能力上更具优势。

LSIC1MO120E0080的导通电流规格在TC =25℃时为39A，在TC=100℃时是25A，相比C2M0080120D的36A和24A，通流能力上稍微大一点。

4：300ns以内同样能兼容Vgs为-10V的电压冲击

C2M0080120D/C2M0160120D的驱动峰值负压长期工作最大-10V。LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160的驱动峰值负压长期工作最大-6V，该参数偏小，但是LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160的Vgs满足周期的1%的占空比（300ns级别以上）-10V规格，能承受的时间已经完全满足目前市场常用的400KHZ以内的驱动频率应用。

5：兼容式封装

LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160和C2M0080120D/C2M0160120D均是TO-247-3封装，为市场兼容性封装，替换时无需改动安装和PCB的工艺。

因此，当C2M0080120D/C2M0160120D缺货时，基于设计应用和成本考虑，Littelfuse的LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160将是替代的最佳SiC MOSFET。

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派大星 Lv7. 资深专家 2020-12-12

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nsqnq Lv6. 高级专家 2020-12-08

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HelloSEKORM Lv7. 资深专家 2020-12-07

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