【选型】力特1200V/80、160mΩ SiC MOSFET可对标CREE C2M008/160120D

2020-09-02 世强
SiC MOSFET,LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160,C2M0080120D SiC MOSFET,LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160,C2M0080120D SiC MOSFET,LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160,C2M0080120D SiC MOSFET,LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160,C2M0080120D

相比于Si器件,SiC器件具有宽禁带,高电场和高热导率特性,规格为1200V/80mΩ和160mΩ的SiC MOSFET,主要应用于车载DC/DC、OBC、充电桩和光伏MPPT等应用市场。

图1:参考的光伏MPPT和DCDC拓扑

基于市场需求的变化和SiC MOSFET产品的交期加长等因素,当WOLFSPEEDC2M0080120D/C2M0160120D出现缺货状态时,推荐LITTELFUSELSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160作为备选。

 

图2:LSIC1MO120E0080和C2M0080120D的封装和规格信息

图3:LSIC1MO120E0160和C2M0160120D的封装和规格信息

C2M0080120D和LSIC1MO120E0080器件的主要参数:

C2M0160120D和LSIC1MO120E0160器件的主要参数:

1:承受功耗上更具优势

漏源极击穿电压越高,器件的耐压冲击性能就越好,型号均是1200V的耐压规格,标准的导通电阻也是80mΩ和160mΩ,160mΩ的单体能承受的功耗均是125W,两者在基本功耗性能上是没有明显的差异。80mΩ的LSIC1MO120E0080单体能承受的功耗均是214W,比C2M0080120D高22W,产品可适用更高的功耗等级。


2:更低的开关损耗

LSIC1MO120E0160的开通损耗Eon是77μJ,相比于C2M0160120D的121μJ,相当于优化了36%。

LSIC1MO120E0080的开通损耗Eon是220μJ,关断损耗Eoff是32μJ,相比于C2M0080120D的开通损耗Eon为523μJ,关断损耗Eoff为72μJ,LSIC1MO120E0080的开通和关断的损耗具有成倍的优势,开通和关断损耗低,产品的应用效率和温升特性就更具有优势。


3:更高的电流能力

LSIC1MO120E0160的导通电流规格在TC =25℃时为22A,在TC=100℃时是14A,相比C2M0160120D的18A和12A,通流能力上更具优势。

LSIC1MO120E0080的导通电流规格在TC =25℃时为39A,在TC=100℃时是25A,相比C2M0080120D的36A和24A,通流能力上稍微大一点。


4:300ns以内同样能兼容Vgs为-10V的电压冲击

C2M0080120D/C2M0160120D的驱动峰值负压长期工作最大-10V。LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160的驱动峰值负压长期工作最大-6V,该参数偏小,但是LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160的Vgs满足周期的1%的占空比(300ns级别以上)-10V规格,能承受的时间已经完全满足目前市场常用的400KHZ以内的驱动频率应用。


5:兼容式封装

LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160和C2M0080120D/C2M0160120D均是TO-247-3封装,为市场兼容性封装,替换时无需改动安装和PCB的工艺。


因此,当C2M0080120D/C2M0160120D缺货时,基于设计应用和成本考虑,Littelfuse的LSIC1MO120E0080/LSIC1MO120E0160将是替代的最佳SiC MOSFET。

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  • 派大星 Lv7. 资深专家 2020-12-12
    学习
  • nsqnq Lv6. 高级专家 2020-12-08
    不错
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  • csfeeling Lv8. 研究员 2020-12-05
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  • SDTJLJ Lv7. 资深专家 2020-12-03
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  • 岭南郡 Lv6. 高级专家 2020-12-01
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  • 用户48736163 Lv4. 资深工程师 2020-12-01
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