【应用】汽车变频器的N沟道增强型SiC MOSFE选用P3M171K0G7，漏源电压高达1700V
永磁同步电机具有高效率、高精度、高可靠性和高功率密度等优点，在精密控制场景中具有极为广泛的应用。在汽车领域的空调压缩机、动力电机等部分也被广泛应用。永磁同步电机的启动方法最常用的就是采用变频启动，在动力电机等大功率的永磁同步电机应用场景，对变频器中的高压MOS/IGBT要求很高。本文主要介绍派恩杰N沟道增强型SiC MOSFE P3M171K0G7用于汽车变频器，并分析其特点和优势。
某客户将派恩杰的N沟道增强型SiC MOSFE P3M171K0G7用于汽车变频器，能有效提高系统效率和降低系统成本。该N沟道增强型SiC MOSFE符合AEC-Q101标准，并且漏源栅极耐压高达1700V， 栅极驱动电压15V，TC= 25°C时，电压可达7A左右，非常适合用于该变频器的研发。高压端的直流电压经过共模电感滤波后，由半桥驱动和六个P3M171K0G7组成的逆变系统转化为三相交流电，最后再给三相永磁同步电机供电。低压端由主控部分、采样反馈部分、驱动部分、辅助电源部分组成。框图如下：
图 1变频器设计框图
N沟道增强型SiC MOSFE P3M171K0G7特点及应用优势如下：
1、符合AEC-Q101标准，适用于汽车级的研发和设计。
2、漏源栅极耐压高达1700V，高压余量足够大，防止MOS管因为电压波动损坏，能满足汽车中绝大部分的高压端设计。
3、输出电容储存能量低至9.4uJ，有效降低SIC MOS管的发热量，具有良好的热稳定性。
4、工作温度-55℃~175℃，具有良好的高温工作特性，满足工业、汽车领域的温度要求。
5、TO-263-7封装，小体积贴片封装，减少散热需求，能有效降低散热成本，也能极大程度上的节约设计空间。
综上所述，国产品牌派恩杰的N沟道增强型SiC MOSFE P3M171K0G7在电压、电流、封装和工作温度等方面都非常适合于汽车变频器的开发，能有效提高系统效率、增加功率密度和减少系统成本。
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
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P3M17040K4 SiC MOS N沟道增强模式
描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M17040K4 SiC MOSFET器件。这是一种N沟道增强型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），具有高阻断电压和低导通电阻的特点，适用于高频操作。资料提供了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性和典型性能数据。
型号- P3M17040K4
P3M12099K4 N沟道增强型SiC MOS
描述- 该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M12099K4型号SiC MOSFET器件。该器件是一款N沟道增强型SiC MOSFET，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器等应用。
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P3M07013K4 SiC MOS N沟道增强模式
描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司生产的P3M07013K4型号SiC MOSFET器件。该器件具有高阻断电压和低导通电阻的特点，适用于高频操作，并经过100% UIS测试。其主要优点包括提高系统效率、增加功率密度、降低散热器需求以及减少系统成本。应用领域包括太阳能逆变器、电动汽车充电器和高压直流/直流转换器。
型号- P3M07013K4
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服务
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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授权代理品牌：集成电路
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