UMS Launches a New 17.3-21.5GHz 4W GaN Power Amplifier CHA6262-99F for Space Applications
The CHA6262-99F is a three-stage GaN high power amplifier operating in the frequency band 17.3-21.5GHz. This HPA typically provides 4W output power associated with 36% of Power Added Efficiency.
The circuit exhibits a typical small signal gain of 30dB. The overall power supply is 18V/182mA.
This HPA is dedicated to Space applications and well suited for a wide range of microwave applications and systems.
The GaN Power Amplifier product is developed on a robust 0.15µm gate length GaN on the SiC HEMT process and is available as a bare die.
Main Features:
17.3-21.5GHz frequency range
Linear gain is 30dB
Pout=36dBm for Pin=14dBm
NPR > 17dB for Pout = 2Watts
PAE=36% at Psat
DC bias: Vd=18Volts @ Idq=182mA
Chip size: 3.55mmx2.24mm
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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