【选型】SIC MOS管P3M171K0G7用于汽车电驱项目，输出电容储存能量低至9.4uJ

时间： 2022-12-23 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

汽车电机驱动项目中，辅助电源部分一般采用隔离型DC-DC变换器；考虑到变换效率以及整体系统体积的控制，采用SIC的方案具有普通硅MOS不可比拟的优势；派恩杰推出的SIC MOS P3M171K0G7，漏源耐压1700V,具有导通内阻低，同时输出电容储存能量低至9.4uJ的特点；本文就P3M171K0G7从性能参数以及封装尺寸方面进行分析，讨论其在汽车电机驱动领域作为辅助电源部分的功率开关时的应用优势。

1.P3M171K0G7性能参数如下表：

表1. P3M171K0G7性能参数

由上表可知，P3M171K0G7漏源耐压值高达1700V，有效兼容高电压母线的电驱方案；漏极平均电流高达7A，有效增加辅助电源的输出容量；输出电容储存能量低至9.4uJ，有效降低功率开关管的发热量，有利于系统顺利通过温升测试。

2.P3M171K0G7封装尺寸如下:

图1. P3M171K0G7封装尺寸

由上可知，P3M171K0G7为贴片式封装，贴片封装对于系统体积控制，同时简化功率开关管的散热设计，从而在成本控制上优势明显。

综上所述，P3M171K0G7作为功率开关管用于汽车电驱产品中，在系统温升，体积控制，成本控制方面优势十分明显。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由万勇提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【选型】国产SIC场效应管P3M171K0G7用于电池化成设备中的辅助电源部分，漏源耐压值高达1700V

派恩杰推出的P3M171K0G7，不但漏源极耐压值高达1700V，同时漏极电流高达7A，本文就P3M171K0G7从性能参数以及封装大小方面进行分析，从而讨论其作为功率开关用于辅助电源领域的优势。

2022-06-23 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【选型】碳化硅场效应管P3M06040K3用于汽车单体DC-DC项目，漏极平均电流值高达68A

汽车单体DC-DC项目中，为了实现逆变时的软开关故一般采用移相全桥拓扑，移相全桥结构可实现零电压开关（ZVS）所以可减小功率开关管的开关应力降低开关时的功率损耗；移相全桥拓扑中将至少使用4颗功率开关管如IGBT或者SIC MOSFET；推荐使用派恩杰的碳化硅场效应管P3M06040K3，其具有导通内阻小，漏极过流能力强的特点。

2023-06-10 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【选型】采用SOT23G-3封装的电压基准TPR431-S助力电动汽车电驱系统设计，通过AEC-Q100认证

TPR431-S使用两个外部电阻器，输出电压可以设置为2.5至36V之间的任何值，Grade B电压精度可以达到0.5%，完美适配汽车电驱系统的反激电源部分设计需求。采用SOT23G-3小封装，助力车载系统小型化设计。

2023-03-18 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

派恩杰 - SIC SBD,碳化硅肖特基二极管,SIC场效应晶体管,SIC SBD,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,SIC备用电池,P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南代理服务技术支持采购服务

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

汽车领域电磁干扰问题吸波材料可为解决

汽车电驱控制器内部包括嵌入式控制板、驱动板、PCB、DC-DC开关管、逆变器、IGBT等功率器件，这些集成电路和高频开关在工作中会产生大量的电磁干扰，这时吸波材料在汽车领域就可以有效地解决这些电磁干扰问题。除了电路的优化、滤波技术、电磁屏蔽材料外，还可以使用电磁波吸收材料，简称吸波材料。

2023-11-29 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

P3M171K0G7 SiC MOS N沟道增强模式

该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M171K0G7型号碳化硅（SiC）MOSFET器件。这是一种N沟道增强型场效应晶体管，具有高阻断电压和低导通电阻的特点。资料涵盖了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性和典型性能等方面。

派恩杰 - 碳化硅金属氧化物半导体,SIC MOS,P3M171K0G7,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES

Jul. 2021 - 数据手册 - Ver. 1.0 代理服务技术支持采购服务