【选型】SIC MOS管P3M171K0G7用于汽车电驱项目，输出电容储存能量低至9.4uJ

时间： 2022-12-23 来源：世强

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汽车电机驱动项目中，辅助电源部分一般采用隔离型DC-DC变换器；考虑到变换效率以及整体系统体积的控制，采用SIC的方案具有普通硅MOS不可比拟的优势；派恩杰推出的SIC MOS P3M171K0G7，漏源耐压1700V,具有导通内阻低，同时输出电容储存能量低至9.4uJ的特点；本文就P3M171K0G7从性能参数以及封装尺寸方面进行分析，讨论其在汽车电机驱动领域作为辅助电源部分的功率开关时的应用优势。

1.P3M171K0G7性能参数如下表：

表1. P3M171K0G7性能参数

由上表可知，P3M171K0G7漏源耐压值高达1700V，有效兼容高电压母线的电驱方案；漏极平均电流高达7A，有效增加辅助电源的输出容量；输出电容储存能量低至9.4uJ，有效降低功率开关管的发热量，有利于系统顺利通过温升测试。

2.P3M171K0G7封装尺寸如下:

图1. P3M171K0G7封装尺寸

由上可知，P3M171K0G7为贴片式封装，贴片封装对于系统体积控制，同时简化功率开关管的散热设计，从而在成本控制上优势明显。

综上所述，P3M171K0G7作为功率开关管用于汽车电驱产品中，在系统温升，体积控制，成本控制方面优势十分明显。

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃