【产品】20V/0.75A的双N沟道MOSFET RM3134，采用SOT-363表面封装
丽正国际推出的RM3134是一款双N沟道MOSFET，在环境温度为25°C时，RM3134漏源电压最大额定值为20V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为0.75A，最大工作时结温为150℃，储存温度范围为-55~ +150℃，结到环境的热阻为833℃/W。RM3134采用SOT-363封装，其引脚分布如图1所示，
图1 RM3134产品示意图
RM3134产品特性
•VDS = 20V,ID =0.75A
RDS(ON) = 380mΩ@ VGS=4.5V
RDS(ON) =450mΩ@ VGS=2.5V
RDS(ON) =800mΩ@ VGS=1.8V
•无铅产品
•表面贴装封装
•N沟道，导通电阻小
•在低逻辑电平的栅极驱动下工作，相当于两个RM3134
RM3134应用领域
•负载/电源切换
•接口交换
•超小型便携式电子产品的电池管理
•逻辑电平转换
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