【产品】N沟道功率MOSFET NCEP0155K，漏源导通电阻9.2mΩ，连续漏极电流55A

时间： 2023-05-01 来源：NCE

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NCEP0155K是NCE推出的一款采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用TO-252-2L封装，得益于R_DS(ON) 和Q_g的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。

一般特性

漏源电压V_DS=100V，连续漏极电流I_D=55A

漏源导通电阻R_DS(ON)=9.2mΩ（典型值）@V_GS=10V

优秀的FOM产品：Q_g×R_DS(on)

非常低的漏源导通电阻R_DS(ON)

最高工作温度175℃

无铅电镀

100% UIS测试

100% ΔVds测试

应用

DC/DC转换器

高频开关和同步整流的理想选择

绝对最大额定值参数（T_C=25℃，除非特别说明）:

电气参数(T_C=25℃，除非特别说明)

注：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2.表面贴装在FR4板，t≤10s

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

4.由设计保证，不受产品限制

5.EAS条件：T_j=25℃，V_DD=50V，V_G=10V,L=0.5mH，Rg=25Ω

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