【产品】支持SPI通信协议，存储容量2M的铁电随机存储器，数据可保存10年

时间： 2018-10-05 来源：ROHM

技术问答

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，创立于1958年，罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地，主要研发和生产IC、分立半导体、功率器件、模块、光学器件、无源元件。罗姆推出了MR45V200A高性能FeRAM存储器产品，MR45V200A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性262144字 x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用串行外设接口（SPI）访问。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，可用于替代各种EEPROM的存储器单元使用。其写周期时间可以等于读周期时间，并且可以显着降低写操作期间的功耗。MR45V200A可用于各种应用，可以显着延长重写次数。该器件采用8引脚塑料DIP封装，可以有效减小PCB的面积。

图1 MR45V200A产品引脚分配图

电气参数方面，MR45V200A采用单电源供电，工作电压范围为2.7V~3.6V。在待机状态下，其工作电流最大值为100μA（CS#= VCC ，VIN=0V or VCC）。工作状态下，工作电流最高10mA（VIN=0.2V or VCC－0.2V，SCK=Max，IOUT=0mA）。满足低功耗应用需求；同时，其具有34MHz的主频，上电上升时间最低仅为50μs/V，断电下降时间最低仅为100μs/V，具有较高的响应速度；另外，在环境参数上，该产品存储温度范围-55°C~125°C，工作温度范围为-40°C~85°C，符合工业级芯片温度范围要求，能够在苛刻环境温度下运行，该系列产品能够适应大多数工况条件，适用于需要高可靠性的工业产品。

MR45V200A使用SPI总线通讯方式。读/写容差高达1012个周期/位，长达10年的数据保存时效保障该产品能够充分胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。

MR45V200A产品主要特性：

•262144字×8位配置SPI总线接口

•2.7-3.6V电源供电范围

•工作频率：34MHz

•读/写容差1012个周期/位

•数据保留10年

•保证工作温度范围-40至85°C

•封装：8引脚塑料DIP封装

MR45V200A产品典型应用：

•工业产品

•医疗产品

•通信产品

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星空雷神 Lv3. 高级工程师 2019-06-26

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型号- RBQ20NS65A,RFN20NS6S,RR1VWM4STFTR,BM2LB300FJ-C,RF071MM2S,RSX101VYM30,DTA124TX,RFUH20NS3S,SMF26V,SMLM22WBN1CW1T,2SCR552P,RB058LAM150,SCT2系列,BD50FA1MG-M,2SC4102,RB088LAM-60,RB238NS150,SML-D12Y8W,BD3575HFP-M,BR25H128,VS17VUA1LAM,BD4XXM5FP2-C,RFUH20NS4S,BD50HC5MEFJ-M,BM61M41RFV-C,2SCR553P,BA82904YFVM-C,RSS070N05,BD30GA5MEFJ-M,BA4560YFV-M,BD80C0AWFP2-C,RB298T100,BD18HC0MEFJ-M,MD56V62161R-XXTAL42X,BD46EXX1G-M,RSS060P05,SMF24V,BR25H160,SCT3022ALHR,2SCR554P,SML-D13MW(A),BR25A512,RGPR20BM36HR,CSL1101SBAW1C,RB068L-40 81,BD00GC0MEFJ-M,RD3U041AA RD3U080AA,BA2901YFV-M,RD3P175SN,BU91R65CH-M,BD53XXG-2M SERIES,BZX84B,BZX84C,SML-D14MWA,BD52XXG-2C,RBR30NS30A,BAS40HM,BD82006FVJ-M,MD56V62161M-XXTAL42X,SCT2,SCT3,MD56V72161C-XXTAL42X,KDZLV 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84,BU18JA2VG-C,BD37068FV-M,2S

选型指南 - ROHM - Ver.2.5 - 2019年09月 PDF 中文下载

FUJITSU（富士通）铁电随机存储器 FRAM 产品概览（中文）

目录- FRAM特长与产品阵容 FRAM热点产品独立FRAM存储器 FRAM内置RFID用LSI

型号- MB85RDP16L,MB85RS128B,MB97RXXXX,MB85R4002A,MB85RS16N,MB97R8050,MB85RS16,MB89R112AHF,MB85R256F,MB89R118CHF,MB89R119B,MB97R804B,MB85RS256B,MB85R1002A,MB85RC16,MB85RC512T,MB85RC1MT,MB85RC64V,MB85RS64,MB85R1001,MB85RDP16LX,MB85R4001A,MB85RS512T,MB85RC64TA,MB85R4001,MB85RC128A,MB94R330,MB85RC64A,MB89R112A,MB85R4M2T,MB89R118C,MB85RC256V,MB85RQ4ML,MB97R803A,MB85RC04V,MB85RS2MT,MB85RC16V,MB89R119BHF,MB85RS1MT,MB85RS64V,MB85R1001A

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铁电存储器供应商舜铭存储授权世强硬创，深耕工业控制/电力仪表领域

舜铭存储实现了第一颗国产铁电存储器的量产，也是全球唯一的新型铁电存储器产品的供应商。

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【选型】ROHM（罗姆）工业设备用产品选型指南（中文）

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型号- BD7673AG,SMLEN3BC8T,BA4560RFVM,RBQ20NS65A,RFN20NS6S,BM2LB300FJ-C,BA4560RFVT,RASMID,BD7602GUL,RFUH20NS3S,BD82001FVJ-LB,SMF26V,MD56V72161C-XXTAP,RB058LAM150,SDR,BD50FA1MG-M,BD9109FVM-LB,RB088LAM-60,RB238NS150,SML-D12Y8W,BR25H128,SML-P11DT,VS17VUA1LAM,GMR50/5025,RFUH20NS4S,RGTH40TK65,STM 431J,SCT2280KE,BA82904YFVM-C,CSL1301R2T,ECO 200,BA2902YF-LB,BA4560YFV-M,RB298T100,BD46EXX1G-M,SMF24V,BU7250G,SML-D12U1W,BD71L4LG-1,BR25H160,SFR,BR25A512,RGCL80TK60,RGPR20BM36HR,BD12732FVM,BD12732FVJ,PTM 330,BU7251SG,BA2901YFV-M,BU21181FS,BU7251G,BD87A34FVM,BU7462FVM,BD12732FVT,BD52XXG-2C,LM2903F,RBR30NS30A,BU7291G,MD56V62161M-XXTAL42X,GSSSMR320,LM339F,MD56V72161C-XXTAL42X,BA2901YFV-C,BR93AXX-WM,BA2902SF,SMF22V,SML-D12Y3W,ML610400,BD2066FJ-LB,SCT2160KE,BAXXDD0T,SCM-013RT,LM2904F,BAXXDD0W,BU9829GUL-W,PTM 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选型指南 - ROHM - Ver.2.0 - 2019年03月 PDF 中文下载

NETSOL STT-MRAM选型表

Netsol的Serial STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代 Flash、FeRAM 、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。容量从1Mb~16Mb，电源供应：1.8V（1.71V～1.98V）或3.3V（2.7V～3.6V），具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI，数据保存期：10年，写入耐力 : 10的14次方，工业标准引脚及封装：8WSON、8SOP。

产品型号	品类	Density(Mb)	Interfaces	Vcc(V)	Frequency(MHz)	Package
S3A1004R0M-AI1AT00	SPI MRAM	1Mb	QSPI	1.8V	108MHz	SOP

选型表 - NETSOL 立即选型

Rohm＆LAPIS存储器：DRAM、串行EEPROM、FeRAM不同类型存储器，超高可靠性提供汽车级、工业级产品

Rohm（罗姆）及其子公司LAPIS存储器分为两大类，易失性存储器和非易失性存储器；非易失性存储器在掉电情况下仍旧能够保存数据。其存储器主要包括DRAM、串行EEPROM、FeRAM三大类，除了DRAM，串行EEPROM、FeRAM均为非易失性存储器。世强是ROHM代理商，可提供ROHM存储器产品，价格优惠，还可提供ROHM存储器选型指南、数据手册、技术支持等资源服务。

厂牌及品类发布时间 : 2018-11-02

Growth of Medical Sensors & Electronic Components Demand Due To Covid-19

型号- MK71511,BH1620,KX134-1211,BU52792,SML-810TB,BM1383A,SCM-014TB,BH1721FVC,BH1749NUC,BM1422A,RPMD-0100,SIM-040ST,BH1726,BU27006,SCM-013RT,BM1386GLV,SML-H10TB,BU7242NUX,BH1730,MK71521,BH1792,SML SERIES,KXTJ3-1057,KX132-1211,BH1790,RPR-0701,RPR-0521RS,SIM-030ST,RPI-1035,BU52494,BU52098,LM7631,LM7630,SMLM13RT

白皮书 - ROHM - Rev.001 - 2021/06/23 PDF 英文下载

【选型】多种存储容量可选的三种总线接口FeRAM，无需使用电池备份

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，其旗下的蓝碧石半导体（Lapis）推出的FeRAM是通过铁电工程与硅栅极技术所开发的32kbit-256kbit的范围构成的铁电随机存取存储器。该产品无需使用电池的备份、可以高速度地随机读写、有高读写寿命- 保障约1兆次、低功耗工作等特性，可适用于汽车导航、车载音响、PLC、仪器仪表、打印机等领域。

器件选型发布时间 : 2018-10-23

【产品】ROHM推出非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器MR45V256A，使用SPI进行通讯！

罗姆推出了MR45V256A高性能FERAM存储器产品，MR45V256A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用串行外设接口（SPI）访问。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。

新产品发布时间 : 2018-09-15

ROHM（罗姆）铁电存储器的价格如何呢？

您好，感谢您的咨询！铁电的价格相对优势较大，我司会有专人与您联系，根据项目用量提供优质价格。请更多咨询，您可拨打服务热线400-887-3266或EMAIL 至service@sekorm.com。

技术问答发布时间 : 2019-11-13

【产品】支持I2C通信协议，待机功耗低至10μA，存储容量为64K的铁电随机存储器MR44V064B

罗姆推出了MR44V064B高性能FERAM存储器产品，MR44V064B是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性8,192字节x8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用双线串行接口（I2C总线）访问MR44V064B。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。

新产品发布时间 : 2018-10-09

罗姆铁电随机存取存储器有串行接口的吗?

罗姆推出了FERAM存储器产品接口类型，1、 Parallel BUS FeRAM 型号： MR48V256C。2、I2C BUS FeRAMC BUS FeRAM 型号：MR44Vxxxx系列。3、SPI BUS FeRAM 型号：MR45Vxxxx系列。具体选型请参考罗姆FERAM存储器选型指南。https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=672239 。

技术问答发布时间 : 2018-10-18