【产品】Littelfuse新推1200V N沟道SiC MOSFET，配有开尔文源极连接，反向恢复电流几乎为零
LITTELFUSE新推出的1200V N沟道SiC MOSFET提供有25mΩ、40mΩ、80mΩ、120mΩ和160mΩ。共五个不同的典型导通电阻值型号，分别为：LSIC1MO120G0025、LSIC1MO120G0040、LSIC1MO120G0080、LSIC1MO120G0120、LSIC1MO120G0160。该系列产品采用TO-247-4L封装，配有开尔文源极连接。引脚排列不仅简化了PCB布线，而且开尔文源极连接还降低了栅极驱动电路中的杂散电感。 这转而又会提高效率、EMI行为和开关性能。MOSFET表现出卓越的栅极氧化可靠性，并针对开关性能进行了优化。
产品优势
▪ 设备易于并联
▪ 优化整体系统效率
▪ 高速应用的理想选择
▪ 高功率耗散能力
产品特点
· 正温度系数
· 最高工作结温达175℃
· 快速且低损耗的开关，针对高频开关优化的MOSFET
· 反向恢复电流几乎为零的SiC二极管
· 专用Kelvin源极连接脚
引脚图
应用
▪开关电源
▪高压DC/DC转换器
▪不间断电源
▪太阳能逆变器
▪电动汽车充电站
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型号- R1280NC25M,MCD 26-16IO1B,N2055HE420,IXTT 30N50L2,R1280NC25K,R1280NC25L,MCD 56-18IO8B,IXBOD 2-52R,R1280NC25J,IXTQ 52N30P,MCK 200-18IO1,IXYR 100N120C3,LSIC2SD120C05,MDC600-22IO1W,IXYH 16N250CV1HV,LSIC2SD120C08,M0863LC360,IXTP 100N15X4,VBO 125-08NO7,DPG 15I200PA,F1600NC080,IXTH 1N450HV,T0600TB45A,LSIC2SD065E40CCA,DSEP 2X91-03A,IXBOD 2-51R,IXTX 4N300P3HV,IXTA 36N30P,VBO 72-18NO7,M4305TJ240,IXFR 64N60P,N6405EA240,IXYR 50N120C3D1,MCD580-28IO7,VUO 25-14NO8,0440 007.WRA,IXFY 36N20X3,VBO 25-12NO2,IXTT 120N15P,M1010NC400,IXBH 6N170,MCC 56-14IO1,VBE 26-06NO7,MCD160-30IO3,SXB4869G,IXTJ 3N150,DHG 10I1200PM,IXTH 120P065T,VTO 39-08HO7,IXFN 32N80P,IXTL 2N450,DMA 30P1600HR,IXBOD 2-54R,MDK950-18N1W,CS 20-25MOT1,IXBOD 2-55R,IXTK 140N20P,IXTR 48P20P,DH 20-18A,W2115MC560,IXTP 05N100P,IXFT 18N90P,QJ8030LH4TP,N4340TJ180,DMA 30P1600HB,W3841VC340,MKH 17RP650DCGLB 11,,SXB4649HEXT,IXBOD 2-17RD,DSEP 40-03AS,IXFH 42N50P2,Q8025K6TP,IXFH 22N50P,DPG 30C200HB,DSI 30-12AS,MCMA 240UI1600ED,IXBOD 2-53R,M0367WC220,VUM 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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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