【产品】Littelfuse新推1200V N沟道SiC MOSFET，配有开尔文源极连接，反向恢复电流几乎为零
LITTELFUSE新推出的1200V N沟道SiC MOSFET提供有25mΩ、40mΩ、80mΩ、120mΩ和160mΩ。共五个不同的典型导通电阻值型号，分别为：LSIC1MO120G0025、LSIC1MO120G0040、LSIC1MO120G0080、LSIC1MO120G0120、LSIC1MO120G0160。该系列产品采用TO-247-4L封装，配有开尔文源极连接。引脚排列不仅简化了PCB布线，而且开尔文源极连接还降低了栅极驱动电路中的杂散电感。 这转而又会提高效率、EMI行为和开关性能。MOSFET表现出卓越的栅极氧化可靠性，并针对开关性能进行了优化。
产品优势
▪ 设备易于并联
▪ 优化整体系统效率
▪ 高速应用的理想选择
▪ 高功率耗散能力
产品特点
· 正温度系数
· 最高工作结温达175℃
· 快速且低损耗的开关，针对高频开关优化的MOSFET
· 反向恢复电流几乎为零的SiC二极管
· 专用Kelvin源极连接脚
引脚图
应用
▪开关电源
▪高压DC/DC转换器
▪不间断电源
▪太阳能逆变器
▪电动汽车充电站
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