【产品】Littelfuse新推1200V N沟道SiC MOSFET,配有开尔文源极连接,反向恢复电流几乎为零
LITTELFUSE新推出的1200V N沟道SiC MOSFET提供有25mΩ、40mΩ、80mΩ、120mΩ和160mΩ。共五个不同的典型导通电阻值型号,分别为:LSIC1MO120G0025、LSIC1MO120G0040、LSIC1MO120G0080、LSIC1MO120G0120、LSIC1MO120G0160。该系列产品采用TO-247-4L封装,配有开尔文源极连接。引脚排列不仅简化了PCB布线,而且开尔文源极连接还降低了栅极驱动电路中的杂散电感。 这转而又会提高效率、EMI行为和开关性能。MOSFET表现出卓越的栅极氧化可靠性,并针对开关性能进行了优化。
产品优势
▪ 设备易于并联
▪ 优化整体系统效率
▪ 高速应用的理想选择
▪ 高功率耗散能力
产品特点
· 正温度系数
· 最高工作结温达175℃
· 快速且低损耗的开关,针对高频开关优化的MOSFET
· 反向恢复电流几乎为零的SiC二极管
· 专用Kelvin源极连接脚
引脚图
应用
▪开关电源
▪高压DC/DC转换器
▪不间断电源
▪太阳能逆变器
▪电动汽车充电站
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型号- MCB60P1200TLB,LSIC1MO120G0025,MCBB60P1200TLB,ITF40PF1200DHGTLB,DCG20BB650LB,DPG60BB600LB
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
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