【经验】一文详解接口设计选型指南
在接口防护方面,市面上产品众多,面对不同的接口如何正确的选择对应的一款产品,这很令人抓狂。下文整理了接口防护方面相关设计选型:
一、VGA接口
ESD器件选型:TEVB0R5V05B1X, 封装为SOD-923
VGA接口参考设计
二、DC12V接口
DC12V主电源电路不变,建议增加小功率TVS(0.4KP15CA)防止过压。
三、HDMI接口
HDMI端口:使用3个TEVA0R4V05D4X , 结电容为0.4PF, 封装为DFN2510。
四、DVI接口
DVI端口
1.TVS管:TEVA0R4V05D4X , 结电容为0.4PF,封装为DFN2510。
2.TVS管:TEVB0R5V05B1X
五、USB2.0接口
USB端口:鉴于USB接口多,建议用TEVA0R4V05D4X, 0.4PF、 4线,和原始设计封装一样。
六、USB3.0接口
USB3.0端口: TEVB0R3V05B1X , 结电容为0.3PF, 封装为DFN1006-2L
七、LVDS接口
选用的型号:
TVS管:TEVA0R4V05D4X , 结电容为0.4PF, 封装为DFN2510。
八、AUDIO接口
ESD器件选型为:TEVB0R5V05B1X , 同时A-LINE-SENSE也增加TVS
九、SATA接口
5V供电
ESD器件选型为:TEVB0R5V05B1X 。
十、TF接口
3.3V供电
ESD器件选型为:TEVB0R5V05B1X, 结电容为0.5PF, 封装为SOD-923。
十一、CAN 接口
ESD器件选型为:TEVG15R0V24B2X,结电容为15PF,封装为SOT-23。
十二、RS232接口
1.ESD器件选型为:
TVS管:TEVD22R0V15B1X。
2.端口滤波器:
磁珠可根据需要看是否预留, 磁珠建议预留。
十三、RS485接口
ESD器件选型为:
1.TVS:TEVB20R0V12B1X ;
2.上图的设计主要是针对防雷设计, 不做防雷不用考虑R和3个功率TVS 。
十四、DP接口
ESD器件选型为:
1.TVS管:TEVB0R5V05B1X, 封装为:DFN1006-2L(0402) 。
十五、PS2接口
5V供电
ESD器件选型为:
1.TVS管:TEVB0R5V05B1X, 封装为:DFN1006-2L(0402) 。
十六、ETH接口
ESD器件选型为:
1.TVS管:TEVD0R6V3B1X , 3.3V 0.6PF, 封装为0805。
2.TSS管:TSMC006B1X, 主要做防雷设计, 如果防雷等级要求不高可以不加。
3.R:0Ω【0-2.7Ω】 。
4.TSS并联的BOB-Smith电路, 保留你原来参数设置, 75R电阻, 1000PF/2KV高压电容就行了。
注意事项
1、接口处既有滤波又有防护电路,应该遵从先防护后滤波的原则。
防护电路用来进行外来过压和过流抑制,如果将防护电路放置在滤波电路之后,滤波电路会被过压和过流损坏。
2、滤波电路应靠近接口放置。避免已经经过了滤波的线路被再次耦合。
要做好静电的防护,还需要跟产品结构、走线等等的配合,并不是直接加静电管就可以一劳永逸,需要找出问题的根源,对症下药。在设计阶段就做好防护的相关的预留设计,后期处理起来会比较方便,具体的问题需要在实践中验证。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自韬略科技,原文标题为:接口设计选型指南,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【成功案例】贴装TVS SP0505在RJ45以太网接口防护电路的应用,节约印制板空间
SP0505是LITTELFUSE公司提供一款用于一直ESD防护的贴装TVS(Transient Voltage Suppressor)阵列器件,满足国际静电放电实验标准IEC61000-4-2,笔者以一款厂家的RJ45以太网接口按照图示方法应用在80MHz物理频率下,回损为-10dB,数据通信正常,选用物料号是SP0505BAHT。
【经验】实现USB接口静电防护的两种方法:加入ESD专用芯片和磁珠+共模抗流器
针对USB接口静电防护第一个方法是在VCC和GND管脚分别串入一个120ohm、2A的磁珠,在数据差分线上串入一个90ohm共模抗流器,共模抗流器由两根导线同方向绕在磁芯材料上。第二种做法是在USB的管脚上加入ESD专用芯片,推荐Littelfuse 公司的SP1021 TVS管。
如何为手机SIM卡接口ESD防护选择一款合适的过压保护器件?
为避免手机SIM卡接口因带电插拔或人体静电导致相关敏感电子器件被静电打死,推荐选择Littelfuse(力特)推出的四通道TVS阵列SP3002-04UTG,最大反向工作电压VRWM为6V,最大反向漏电流ILEAK为0.5μA,最大钳位电压13V,输入/输出的电容为二极管结电容典型值仅为0.85pF,通过IEC61000-4-2 ±12kV(contact)、±15kV(Air)ESD测试认证。
【选型】韬略科技(TOP-FLIGHT)展频IC、叠层共模/绕线共模/大电流共模/BDL滤波器、ESD、高分子材料、TVS、晶体闸流管、一体成型功率电感选型指南
目录- 公司简介 时钟展频IC BDL EMI 滤波器 大电流共模滤波器 EMI+ESD 复合器件 叠层共模滤波器/绕线共模滤波器 大功率TVS 高分子聚合物静电抑制器 先进陶瓷静电抑制器 TVS管/晶体闸流管 一体成型功率电感和EMC测试项目 各国电子产品认证要求
型号- TEPC0R2V05B1X,0.2KP-SMF,TLDCM7035-2-501TF,TMMPL111004,TF2010A4X SERIES,5KP-SMC,TESC3R0V05B1X,TF0806A2X430MT,TLCML2012-2-121,TEVD12R0V24B1X,TSSBXXXB1X,TEVC1R0V05B1X,TESD500R0V05B1X,3128,TEVA0R4V05D4X,TLDCM1513-2-301TF,TESB3R0V24B1X,1108,TSSCXXXB1X,TF2010A4X,5KP-SMC SERIES,TSMAXXXB1X SERIES,TF2010A4X900MT,0.4KP-SMA SERIES,TEVD300R0V05D1X,TLCML2012-2-900,6.6KP SERIES,TF2010A4X121MT,10KP SERIES,TEPC0R2V12B1X,TEVC3R0V05B1X,5KP,TEVC25R0V05B1X,TSSDXXXB1X SERIES,TSSBXXXB1X SERIES,TEVG15R0V24B2X,TF2010A4X201MT,TEVC10R0V3B1X,TF0806A2X670MT,TEPB0R2V05B1X,TESC0R15V05B1,6.6KP,TEF0806A2X900MT,TF0806A2X900MT,TF1210A2X900MT,TF2010A4X670MT,TEF1210A2X900MT,TEPB0R2V12B1X,TEPC0R2V09B1X,2501,TEF2012A4X101MT,TEVB20R0V12B1X,TF0806A2X,TEVD0R6V05B1X,TLCML2012-2-201,8KP,15KP SERIES,15KP,TEVH0R6V05D2X,TEVJ0R4V05D4X,TMMPI040402,TMMPL131205,TESC3R0V24B1X,0.2KP-SMF SERIES,TF1210A2X650MT,TSSDXXXB1X,TEF1210A2X500MT,0.4KP-SMA,TSMAXXXB1X,0.6KP-SMB SERIES,TEVG0R6V05D2X,5228,TF0806A2X SERIES,1.5KP-SMC SERIES,TLDCM4745-2-102TF,TEVB10R0V3B1X,1.5KP-SMC,TEVB25R0V05B1X,5KP SERIES,8KP SERIES,10KP,TESD400R0V14B1X,TEVD22R0V15B1X,TEPC0R05V24B1X,TMMPI050502,TEVD0R7V05D4X,TEPB0R2V09B1X,TEVB0R5V05B1X,TGMPL020201,TLCML2012-2-371,TEVP0R4V05D2X,TF2010A4X161MT,0.6KP-SMB,TEVB3R0V05B1X,TLCML4532-2-601,TEVD0R6V3B1X,TSSCXXXB1X SERIES,TEVD1R5V05B1X,TGMPI020101,TLDCM1211-2-701TF,TLCML4532-2-282,TEVC15R0V12D1X,TEF1210A2X350MT,TF1210A2X350MT,TESB3R0V05B1X,TMMPI070603
【元件】优恩全新推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件
优恩半导体全新推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件,采用深回扫(Deep Snap Back)工艺,有效降低TVS管VC残压值。采用CSP封装技术,大幅降低了TVS管电容值。小体积:DFN0603、DFN1006封装。
【选型】手机Type-C接口防护电路推荐TVS保护器件AR0521P0L,尺寸小,防护等级±20kV
Type-C接口是智能手机的标配,可以充电和传输数据,易收到静电损坏,需要ESD防护电路,要求具有体积小、高ESD防护能力、结电容低的特性。推荐应能微TVS ARO521P0L,其采用硅工艺制造,可提供±20kV(接触放电)/±25kV(空气放电)的ESD保护。
【元件】高特推出极低容值0.1pF静电防护器件,采用DFN封装,适用于RF天线等超高速信号传输接口
高特推出极低容值0.1pF静电防护器件GESD05F1BE和GESD05F6BE。采用先进芯片和封装制造工艺,容值压制到极低水平0.1pF,工作电压5.5V,关断状态下漏电电流<100nA,8/20μs峰值电流2A。
【经验】SIM800/SIM900模块中SIM卡接口、RF射频接口、电源管理的ESD防护设计
物联网终端中最重要的联网模块部分的接口防护就显得更加重要,本文就浅谈物联网终端中常见的GSM/GPRS联网方式中所采用的SIM800/900模块的ESD防护设计。推荐器件如Littelfuse旗下ONSEMI的SMF05C型ESD器件等。
【元件】高特GESD5B284JDO四通道静电防护器件震撼发布!专为 PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造!
PD USB-C接口的快速发展,对静电防护器件提出了更高的要求。高特电子全新推出的GESD5B284JDO四通道静电防护器件,专为PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造,为您的设备提供全方位的静电防护。
【应用】国产静电防护TVS管ESD05V14T-LC,USB2.0防护神器
USB2.0是应用在计算机领域的接口技术,具有传输速度快、支持热插拔的特点。USB2.0接口在应用中需要支持热插拔、传输数据过程中不能丢包,USB2.0芯片比较脆弱,易受到静电损伤。针对USB2.0静电防护,硕凯电子推出了静电防护TVS管ESD05V14-CL,具有结电容低、体积小、符合IEC61000-4-2防护标准的特点。
【应用】硕凯低容值阵列型USB专用国产ESD静电抑制二极管ESD05V14T-LC助力USB接口防护方案
ESD05V14T-LC是硕凯(SOCAY)推出的一款USB专用ESD防护器件,它可保护USB口在拔的过程中引起Vbus电源间的EOS (electrical over stress)突波噪声问题。
USB Type-C 接口 ESD & EOS 设计参考应用笔记
描述- 本文档为应用笔记,主要针对USB Type-C接口的静电放电(ESD)和浪涌冲击(EOS)保护设计提供参考。内容涵盖USB Type-C接口的硬件接口、数据传输标准、ESD和EOS保护方案等。重点介绍了USB Type-C接口的ESD和EOS保护设计要点,包括VBUS防EOS浪涌冲击、USB2.0差分对ESD防护、高速数据发送/接收对ESD防护等。同时,提供了应能微(APM)针对不同VBUS电压的ESD/EOS浪涌防护TVS器件的产品信息。
型号- AU1271P6,AU1271D1F-T,AU1501P4-3,AR0521P0LV,AU0701P4-3A,AU2881D1F-T,AU1201P4-3,AU1201P4-6,AU2201P4-6,AR0544P5LV,AU1571D1F-T,AU0561P1,AR3341P1SC,AU0581P1A,AR0541P0SC,AU2203P4H,AR0511P1LV,AU0521P4-3,AU2481D1F-T,AR0524P5B,AU0571P6H,AU2401P4-3H,AU1801P4-3,AU2401P4-3F,AU1581D1F-T,AU2401P4-3D,AU1831D1F-T,AU2001P4-3,AU1261D1F-T,AR0521P1L,AR0552S2,AU1221P4-3,AU2471D1F-T,AU0701P4-3,AU1271D3H,AU1801P4-3A,AU1581P4-3,AU0581P6,AR0511P1S,AR3311P0LV,AU0771P6,AU2401P4-3,AR3341P0SC,AR0541P1SC,AU1281D1F-T,AR0511P0LV,AR3324P5L,AU0501P4-3F,AU1521P4-3,AU0571P6,AU1301P4-6,AU1881D1F-T,AU0721P4-3,AU2461D1F-T,AU6381P1A
【技术大神】热插拔接口ESD防护实例
本文以常见的HDMI接口为例,从电路布局和PCB设计两个方面,来分析热插拔电路的ESD防护,且基于Littelfuse的XGD系列聚合物设计一款ESD抑制器。
USB接口和SIM卡接口防静电使用的ESD器件要求有不同吗?
基本上是没有不同的,SIM卡接口有四路,分别为VBUS、DATA、CLK、RESET,每路均需要做ESD防护,而USB接口中的USB1.1/USB2.0也是四路,分别为VBUS、D+、D-、GND,其中除GND外均需要做ESD防护,不过USB3.0接口在USB1.1/USB2.0原四路信号的基础上,有新增SSTX+/SSTX-、SSRX+/SSRX-,这四路高速信号均需要做ESD防护。且工作电压VBUS也兼容(5V),如果每路均选用一颗双向的TVS管,要求直接接触的ESD耐压大于±8KV即可,当然,可以选择1颗四路双向TVS阵列做ESD防护,或者2颗双路双向TVS阵列。针对SIM卡ESD防护设计做选型推荐如下,为littelfuse(力特)保护器件:USB1.1/USB2.0ESD防护设计推荐选型如下,为littelfuse(力特)保护器件::USB3.0 ESD防护设计推荐选型如下,为littelfuse(力特)保护器件::
维安ESD&EOS防护器件在低压充电、高压充电、集成音频功能等方面为Type-C端口提供保护方案
维安为客户提供高性能、高可靠性、满足不同应用要求的ESD&EOS防护器件,除了D+D-的产品应用以外,在VBUS,CC等Type-C接口其它功能pin均有对应的产品解决方案。
电子商城
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论