【经验】一文详解接口设计选型指南

2021-08-03 韬略科技
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在接口防护方面,市面上产品众多,面对不同的接口如何正确的选择对应的一款产品,这很令人抓狂。下文整理了接口防护方面相关设计选型:


一、VGA接口

ESD器件选型:TEVB0R5V05B1X, 封装为SOD-923


VGA接口参考设计


二、DC12V接口

DC12V主电源电路不变,建议增加小功率TVS(0.4KP15CA)防止过压。

三、HDMI接口

HDMI端口:使用3个TEVA0R4V05D4X , 结电容为0.4PF, 封装为DFN2510。


四、DVI接口

DVI端口

1.TVS管:TEVA0R4V05D4X , 结电容为0.4PF,封装为DFN2510。

2.TVS管:TEVB0R5V05B1X


五、USB2.0接口

USB端口:鉴于USB接口多,建议用TEVA0R4V05D4X, 0.4PF、 4线,和原始设计封装一样。


六、USB3.0接口

USB3.0端口: TEVB0R3V05B1X , 结电容为0.3PF, 封装为DFN1006-2L


七、LVDS接口

选用的型号:

TVS管:TEVA0R4V05D4X , 结电容为0.4PF, 封装为DFN2510。


八、AUDIO接口

ESD器件选型为:TEVB0R5V05B1X , 同时A-LINE-SENSE也增加TVS


九、SATA接口

5V供电

ESD器件选型为:TEVB0R5V05B1X 。


十、TF接口

3.3V供电

ESD器件选型为:TEVB0R5V05B1X, 结电容为0.5PF, 封装为SOD-923。


十一、CAN 接口

ESD器件选型为:TEVG15R0V24B2X,结电容为15PF,封装为SOT-23。


十二、RS232接口

1.ESD器件选型为:

TVS管:TEVD22R0V15B1X

2.端口滤波器

磁珠可根据需要看是否预留, 磁珠建议预留。


十三、RS485接口

ESD器件选型为:

1.TVS:TEVB20R0V12B1X

2.上图的设计主要是针对防雷设计, 不做防雷不用考虑R和3个功率TVS 。


十四、DP接口

ESD器件选型为:

1.TVS管:TEVB0R5V05B1X, 封装为:DFN1006-2L(0402) 。


十五、PS2接口

5V供电

ESD器件选型为:

1.TVS管:TEVB0R5V05B1X, 封装为:DFN1006-2L(0402) 。


十六、ETH接口

ESD器件选型为:

1.TVS管:TEVD0R6V3B1X , 3.3V 0.6PF, 封装为0805。

2.TSS管TSMC006B1X, 主要做防雷设计, 如果防雷等级要求不高可以不加。

3.R:0Ω【0-2.7Ω】 。

4.TSS并联的BOB-Smith电路, 保留你原来参数设置, 75R电阻, 1000PF/2KV高压电容就行了。 


注意事项

1、接口处既有滤波又有防护电路,应该遵从先防护后滤波的原则。

防护电路用来进行外来过压和过流抑制,如果将防护电路放置在滤波电路之后,滤波电路会被过压和过流损坏。

2、滤波电路应靠近接口放置。避免已经经过了滤波的线路被再次耦合。

要做好静电的防护,还需要跟产品结构、走线等等的配合,并不是直接加静电管就可以一劳永逸,需要找出问题的根源,对症下药。在设计阶段就做好防护的相关的预留设计,后期处理起来会比较方便,具体的问题需要在实践中验证。

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产品    发布时间 : 2024-10-28

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI)  |  中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE)  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes)  |  中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip)  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG )  |  Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER)  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics)  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY)  | 

活动    发布时间 : 2024-10-12

【元件】优恩全新推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件

优恩半导体全新推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件,采用深回扫(Deep Snap Back)工艺,有效降低TVS管VC残压值。采用CSP封装技术,大幅降低了TVS管电容值。小体积:DFN0603、DFN1006封装。

产品    发布时间 : 2024-10-15

【选型】手机Type-C接口防护电路推荐TVS保护器件AR0521P0L,尺寸小,防护等级±20kV

Type-C接口是智能手机的标配,可以充电和传输数据,易收到静电损坏,需要ESD防护电路,要求具有体积小、高ESD防护能力、结电容低的特性。推荐应能微TVS ARO521P0L,其采用硅工艺制造,可提供±20kV(接触放电)/±25kV(空气放电)的ESD保护。

器件选型    发布时间 : 2021-11-23

【经验】SIM800/SIM900模块中SIM卡接口、RF射频接口、电源管理的ESD防护设计

物联网终端中最重要的联网模块部分的接口防护就显得更加重要,本文就浅谈物联网终端中常见的GSM/GPRS联网方式中所采用的SIM800/900模块的ESD防护设计。推荐器件如Littelfuse旗下ONSEMI的SMF05C型ESD器件等。

应用方案    发布时间 : 2018-10-23

【元件】高特推出极低容值0.1pF静电防护器件,采用DFN封装,适用于RF天线等超高速信号传输接口

高特推出极低容值0.1pF静电防护器件GESD05F1BE和GESD05F6BE。采用先进芯片和封装制造工艺,容值压制到极低水平0.1pF,工作电压5.5V,关断状态下漏电电流<100nA,8/20μs峰值电流2A。

产品    发布时间 : 2024-09-24

【元件】高特GESD5B284JDO四通道静电防护器件震撼发布!专为 PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造!

PD USB-C接口的快速发展,对静电防护器件提出了更高的要求。高特电子全新推出的GESD5B284JDO四通道静电防护器件,专为PD3.1 USB-C接口静电防护而精心打造,为您的设备提供全方位的静电防护。

产品    发布时间 : 2024-03-06

【应用】国产静电防护TVS管ESD05V14T-LC,USB2.0防护神器

USB2.0是应用在计算机领域的接口技术,具有传输速度快、支持热插拔的特点。USB2.0接口在应用中需要支持热插拔、传输数据过程中不能丢包,USB2.0芯片比较脆弱,易受到静电损伤。针对USB2.0静电防护,硕凯电子推出了静电防护TVS管ESD05V14-CL,具有结电容低、体积小、符合IEC61000-4-2防护标准的特点。

应用方案    发布时间 : 2019-03-30

【应用】硕凯低容值阵列型USB专用国产ESD静电抑制二极管ESD05V14T-LC助力USB接口防护方案

ESD05V14T-LC是硕凯(SOCAY)推出的一款USB专用ESD防护器件,它可保护USB口在拔的过程中引起Vbus电源间的EOS (electrical over stress)突波噪声问题。

应用方案    发布时间 : 2019-03-30

维安ESD&EOS防护器件在低压充电、高压充电、集成音频功能等方面为Type-C端口提供保护方案

维安为客户提供高性能、高可靠性、满足不同应用要求的ESD&EOS防护器件,除了D+D-的产品应用以外,在VBUS,CC等Type-C接口其它功能pin均有对应的产品解决方案。

应用方案    发布时间 : 2023-11-12

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波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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