【产品】1200V/150A I型 IGBT功率模块10-PY07NIB150SG-M136F38Y

时间： 2019-10-27 来源：Vincotech

技术问答

VINCOTECH公司推出10-PY07NIB150SG-M136F38Y IGBT功率模块，击穿电压1200V/额定电流150A，采用三电平NPC（I型）拓扑结构和IGBT3 HS芯片技术，使用AlN作为基板绝缘材料，具有优化的热阻Rth，flow 1模块外壳，封装尺寸82 mm x 37.4 mm x 12 mm，可用于UPS、电机驱动和太阳能逆变器。

基本模块信息

零件号：10-PY07NIB150SG-M136F38Y

产品系列：flowNPC 1

产品状态：批量生产

击穿电压：1200 V

标称芯片额定电流：150 A

标准包装数量：100

·IGBT3 HS+快速硅二极管，优化的热阻Rth（AlN）

产品详情

拓扑结构：三电平NPC（I型）

·开尔文-发射极用于改善开关性能

·中性点钳位拓扑（I型）

·温度传感器

芯片技术（主开关）：IGBT3 HS

·高速切换

·较低的电磁干扰

·较低的关断损耗

·较低的集电极-发射极饱和电压

基板绝缘材料（例如陶瓷）：AlN

电气互连：压接管脚

外壳相关细节

模块外壳：flow 1

与PCB的机械连接方式：4个板式塔器

封装尺寸：82 mm x 37.4 mm

高度：12 mm

·凸形基材，具有出色的热接触性能

·没有PCB孔损坏，可重复使用

·与PCB的冷焊连接是可靠的

·热机械推拉应力释放

目标应用

UPS

电机驱动

太阳能逆变器

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