【选型】国产P沟道MOSFET PJC7407可Pin-Pin替代NTS2101P助力光模块缓启动电路设计
在光模块缓启动电路设计中，许多客户采用P沟道MOSFET设计，有些客户选择了ONSEMI的NTS2101P，但随着国产化需求日益增多，需要一款低成本、供货交期好的替代产品，本文重点推荐强茂（PANJIT）的PJC7407可Pin-to-Pin替代NTS2101P，典型参数对比参考如下图1所示。
图1：PJC7407与NTS2101P参数对比图
从上表参数对比可知，
1、 PJC7407与NTS101的漏极电流参数基本一致，而前者具有-20V更高耐压，在用作负载开关电路时，能保证有足够的电压余量；
2、 PJC7407的导通电阻RDS为150mΩ是在VGS=-2.5V、ID=1A条件下测试得到的，而NTS2101P的RDS为140mΩ是在VGS=-2.5V、ID=0.5A条件下测试得到，一般在相同VG时，ID越大，相应的RDS也会越大，所以PJC7407与NTS4101P导通内阻基本一致，保证负载开关电路低损耗；
3、虽然两者的VGS最大电压不同，但是栅极阈值电压VGS(TH)基本一致，保证在实际应用时不用重新考虑MOS栅极驱动电压选择。
4、PJC7407与NTS2101P的结温都为-55~150℃，保证MOS管的可靠性；且封装都为SOT-323，在应用中可以进行Pin-to-Pin替换。
另外，强茂的MOSFET PJC7407具有更低的成本和更好的供货周期，可快速支持样品和后续量产服务，有需要的客户可以直接到世强硬创电商平台咨询。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)10V
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ.(nC)10V
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PJA3403_R1_00001
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低压MOS
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SOT-23
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P
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Single
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-30V
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12V
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-3.1A
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165mΩ
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114mΩ
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98mΩ
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443pF
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-1.3V
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11nc
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电子商城
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3074
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品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
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