【选型】国产P沟道MOSFET PJC7407可Pin-Pin替代NTS2101P助力光模块缓启动电路设计

时间： 2020-09-27 来源：世强

在光模块缓启动电路设计中，许多客户采用P沟道MOSFET设计，有些客户选择了ONSEMI的NTS2101P，但随着国产化需求日益增多，需要一款低成本、供货交期好的替代产品，本文重点推荐强茂（PANJIT）的PJC7407可Pin-to-Pin替代NTS2101P，典型参数对比参考如下图1所示。

图1：PJC7407与NTS2101P参数对比图

从上表参数对比可知，

1、 PJC7407与NTS101的漏极电流参数基本一致，而前者具有-20V更高耐压，在用作负载开关电路时，能保证有足够的电压余量；

2、 PJC7407的导通电阻R_DS为150mΩ是在V_GS=-2.5V、I_D=1A条件下测试得到的，而NTS2101P的R_DS为140mΩ是在V_GS=-2.5V、I_D=0.5A条件下测试得到，一般在相同V_G时，I_D越大，相应的R_DS也会越大，所以PJC7407与NTS4101P导通内阻基本一致，保证负载开关电路低损耗；

3、虽然两者的V_GS最大电压不同，但是栅极阈值电压V_GS(TH)基本一致，保证在实际应用时不用重新考虑MOS栅极驱动电压选择。

4、PJC7407与NTS2101P的结温都为-55~150℃，保证MOS管的可靠性；且封装都为SOT-323，在应用中可以进行Pin-to-Pin替换。

另外，强茂的MOSFET PJC7407具有更低的成本和更好的供货周期，可快速支持样品和后续量产服务，有需要的客户可以直接到世强硬创电商平台咨询。

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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-09-27

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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)

RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)

RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)

RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)

RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)

RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)

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