【产品】采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET DB010PG，漏源导通电阻＜10mΩ
杜因特推出的P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，具有优良的漏源导通电阻及低栅级电荷特性，应用广泛。
特性：
1）VDS=-20V，ID=-65A，RDS(ON)<10mΩ@VGS=-4.5V
2）低栅级电荷
3）绿色环保器件
4）采用先进高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻
5）优良散热封装
绝对最大额定值（除非另有说明，Tc=25℃）：
热特性：
封装及订购信息：
电气特性（除非另有说明，Tc=25℃）：
注释：
1. 重复额定值：脉冲宽度限于最大结温。
2. 脉冲测试数据：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
3. 基本上与工作温度无关。
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