【产品】采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET DB010PG，漏源导通电阻＜10mΩ
杜因特推出的P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，具有优良的漏源导通电阻及低栅级电荷特性，应用广泛。
特性：
1）VDS=-20V，ID=-65A，RDS(ON)<10mΩ@VGS=-4.5V
2）低栅级电荷
3）绿色环保器件
4）采用先进高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻
5）优良散热封装
绝对最大额定值（除非另有说明，Tc=25℃）：
热特性：
封装及订购信息：
电气特性（除非另有说明，Tc=25℃）：
注释：
1. 重复额定值：脉冲宽度限于最大结温。
2. 脉冲测试数据：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
3. 基本上与工作温度无关。
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杜因特MOS管选型表
杜因特提供MOSFET管的以下参数选型，VDSS(V)：-200~900，ID(A)25℃：-140~500，多种封装TO-252，TO-220S，TO-220R，TO-247S等。
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产品型号
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品类
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Package
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Technology
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Schottky
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)25℃
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RDS(ON)(MΩ)4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)4.5V(MAX)
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RDS(ON)(MΩ)2.5(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)2.5V(MAX)
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VGS(V)(MAX)
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VGS(TH)(V)L
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VGS(TH)(V)H
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Ciss(pF)(TYP)
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Qg nC(TYP)
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@VGS(V)
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DB006NG-B
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MOSFET
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TO-252
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Trench
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N
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N
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20
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60
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4.5
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6
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7
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10
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12
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0.5
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1
|
1820
|
25
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4.5
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选型表 - 杜因特 立即选型
杜因特MOS选型表
杜因特提供以下技术参数的MOSFET选型，耐压范围20V-900V，具有极低的导通电阻，封装规格突破16种，可根据客户需要定制低中高压及不同封装参数产品
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产品型号
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品类
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VDSS(V)(MIN)
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ID(A) at 25℃
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VGS(V)(MAX)
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Ciss(pF)(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
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DB010NG
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MOSFET
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20V
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30A
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12V
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990pF
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8MΩ
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10MΩ
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选型表 - 杜因特 立即选型
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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