【技术】YouPHY-DDR技术方案集高速率与低功耗性能于一体,支持667Mbps到4800Mbps的数据传输速率
具有专利的YouPHY-DDR先进技术
灿芯半导体提供的YouPHY-DDR技术是一个完整的子系统,它不仅包括DDR控制器(controller),物理层(PHY)和接口单元(I/O),而且包括特别开发的调试和测试软件。该方案可支持LPDDR2、 DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4和DDR5等应用,支持从667Mbps 到4800Mbps的数据传输速率。YouPHY-DDR是基于中芯国际从130纳米到14纳米的各种先进工艺而开发,创造了一个无法超越的集高速率与低功耗性能于一体的DDR。其特有的动态自校准逻辑(DSCL)和动态自适应位校准技术(DABC),可自动补偿芯片级、封装级、板级和存储器级别的工艺/电压/温度(PVT)波动而产生的器件性能差异,以及实现传输字节间的斜交自动补偿。YouPHY-DDR可以为客户提供最高性能、最低功耗、最小面积和最快上市时间的DDR接口IP方案。
DDR子系统核心特征:
DDR控制器
符合DFI 4.0的 DDR控制器架构,具有高度灵活性且可定制,支持包含AXI, AHB 和FIFO-based等接口在内的可高达32种目标接口,用户可定制的仲裁控制器(scheduler)。
DDR PHY
完整的DDR协议training
-- CA training
-- DQ read training
-- DQ write training
-- Write leveling
-- Vref training
PHY与DFI 4.0 兼容,并可向下兼容DFI标准,以方便客户与原有的早期DFI版本兼容集成
PHY包含动态自校准逻辑(DSCL)技术
-- 可以根据由制造工艺引起的静态变量和使用温度、电压和数据模式引起的动态变量,自动补偿DDR接口时序
PHY包含动态自适应位校准(DABC)技术
-- 自动补偿每条lane中的各个位(bit)的差异,动态自校准逻辑可以提供最低可达0.5 – 1时钟周期的PHY延时,动态自校准逻辑可通过硬件流程快速完成系统配置,更高的长期系统稳定性,提供灵活的PHY布图,以达到业界最小的PHY面积,PHY和可配置的IO可以harden到一起便于应用。
Combo PHY可选项包括:
-- DDR2/DDR3 PHY Combo
-- LPDDR2/DDR3 PHY Combo
-- LPDDR2/LPDDR3/DDR3 PHY Combo
-- DDR3/DDR4 PHY Combo
-- LPDDR3/4 + DDR3 PHY Combo
DDR I/O
--高性能,低抖动DDR IO
--低功耗/面积小
--通过硅验证
IP交付和设计支持
DDR控制器作为RTL交付,而PHY和IO作为加固宏指令交付,以适应目标芯片平面和面板。如有需求,灿芯半导体可以交付完全加固的DDR子系统(控制器,PHY以及IO)
PHY交付物
网表, SDF, LEF, LIB, Verilog,定时报告及技术文档。
IO交付物
所有PHY交付物的框架指导和评估
技术指导
灿芯半导体为DDR IP提供完整的版图和集成指南,并在流片前对DDR子系统实现进行了技术评估。
技术支持在硅验证后也会继续提供。
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