【产品】漏源电压100V，漏极电流10A的N沟道增强型MOSFET YJB70G10A
YJB70G10A是一款扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，漏源电压100V，漏极持续电流70A（Ta=25℃），总耗散功率最大125W（@Tc=25℃），工作结温-55-150℃，TO-263封装。该产品具有低的导通电阻，极低的开关损耗，极好的稳定性和一致性，可快速开关和软恢复，适用于功率开关应用，硬开关和高频电路，以及不间断电源等领域。
主要特性：
●低的导通电阻
●极低的开关损耗
●极好的稳定性和一致性
●可快速开关和软恢复
应用领域：
●功率开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
最大额定值参数（TA=25℃，除非另有说明）：
电气参数（TJ=25℃，除非另有说明）：
A． 重复率；脉冲宽度受最大结温限制。
B． VDD=50V, RG=25Ω, L=0.5mH 。
C． Pd根据最大结温，使用结到壳热阻。
D． RθJA的值是器件安装在1in2 FR-4材质的板上2oz的铜厚，在TA =25℃的静空气环境中测量的。功率耗散PDSM基于RθJA t≤10s，最大允许结温为150℃。任何给定的应用值都取决于用户的具体电路板设计。
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