【产品】漏源电压100V，漏极电流10A的N沟道增强型MOSFET YJB70G10A

时间： 2021-01-17 来源：扬杰科技

代理服务

技术支持

采购服务

YJB70G10A是一款扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，漏源电压100V，漏极持续电流70A（Ta=25℃），总耗散功率最大125W（@Tc=25℃），工作结温-55-150℃，TO-263封装。该产品具有低的导通电阻，极低的开关损耗，极好的稳定性和一致性，可快速开关和软恢复，适用于功率开关应用，硬开关和高频电路，以及不间断电源等领域。

主要特性：

●低的导通电阻
●极低的开关损耗

●极好的稳定性和一致性

●可快速开关和软恢复

应用领域：

●功率开关应用

●硬开关和高频电路

●不间断电源

最大额定值参数（T_A=25℃，除非另有说明）：

电气参数（T_J=25℃，除非另有说明）：

A．重复率；脉冲宽度受最大结温限制。

B． VDD=50V, RG=25Ω, L=0.5mH 。

C． Pd根据最大结温，使用结到壳热阻。

D． RθJA的值是器件安装在1in2 FR-4材质的板上2oz的铜厚，在TA =25℃的静空气环境中测量的。功率耗散PDSM基于RθJA t≤10s，最大允许结温为150℃。任何给定的应用值都取决于用户的具体电路板设计。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 1
| 转发至：

本文由海之蓝翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（1）

yuyu Lv8. 研究员 2021-04-07

学习

没有更多评论了

【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A

YJG40G10A为扬杰科技推出的N通道增强型场效应晶体管，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON）。

2020-11-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】20V/60A的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用TO-252封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。

2020-12-28 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】150/15A N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，封装为DFN5×6

扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，采用DFN5×6的封装设计，漏源电压为150V，漏极电流为15A(TA=25℃)。采用栅沟道MOSFET技术，高速电源开关，逻辑电平，具有增强的体二极管dv / dt功能，增强了雪崩强度，已通过100％UIS测试，100％Rg测试。

2020-05-05 - 新产品代理服务技术支持采购服务

扬杰科技MOSFET选型表

扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；

Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)

Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)

选型表 - 扬杰科技立即选型

YJG2D0G04AQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料详细介绍了YJG2D0G04AQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、应用领域和电气特性。该产品采用分割栅槽MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的散热性能，适用于电源开关应用、不间断电源和DC-DC转换器等领域。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG2D0G04AQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

19-Oct-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJB180G10B N沟道增强型场效应晶体管数据表

本资料介绍了YJB180G10B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要。该器件具有低导通电阻、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性以及快速切换和软恢复等特点。适用于电源转换应用、硬开关和高频电路。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJB180G10B,HARD SWITCHED AND HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,硬开关高频电路

26-Qct-20 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJQ029N06AHQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJQ029N06AHQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件具有高密度设计以降低导通电阻，适用于电源开关应用、不间断电源和直流-直流转换器。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJQ029N06AHQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,12V汽车系统,12V AUTOMOTIVE SYSTEM,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

31-May-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG5D0G10H N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG5D0G10H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元格设计以降低导通电阻，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG5D0G10H,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

3-Sep-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG110G10B N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG110G10B型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性能。它适用于电源开关应用，如不间断电源和DC-DC转换器。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG110G10B,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

24-Oct-23 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

YJG60G10A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG60G10A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元设计以实现低RDS(ON)，适用于电源开关应用和高频电路。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG60G10A,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,高频电路,HARD SWITCHED CIRCUITS,硬开关电路

24-Oct-23 - 数据手册 - Rev.3.4 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJB6D8G15H N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJB6D8G15H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散性等特点，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJB6D8G15H,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

3-Sep-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJD110G06B N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJD110G06B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、技术规格和应用领域。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD110G06B,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

25-May-22 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

YJG200G04BRQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG200G04BRQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性，适用于电源开关应用。资料详细说明了其电气特性、热阻、封装信息和订购信息。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG200G04BRQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

02-Sep-23 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务