【产品】P175FP4SN、P180FP4SN的N沟道功率MOSFET，符合RoHS认证，具有大电流

时间： 2020-09-13 来源：Shindengen

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N沟道功率MOSFET,P175FP4SN,P180FP4SN,Shindengen

SHINDENGEN（新电元）推出了型号为P175FP4SN、P180FP4SN的N沟道功率MOSFET，该产品采用SMD封装，符合RoHS认证，具有大电流。

左：产品外型（封装：FP；JEDEC代码:SC-83 similar）右：等效电路

特征：

・N沟道

・SMD

・大电流

・Low Ron

・10V栅极驱动

・低电容

・无铅端子

・符合RoHS认证

・贮存温度：-55至175℃

・沟道温度：-55至175℃

・漏源电压：40V

・栅源电压：±20V

・漏源击穿电压最小值为40V

・零栅极电压漏极电流最大为1μA

・栅极阈值电压可为：2/3/4V

・源漏二极管正向电压：1.5V

两个型号产品绝对最大额定值不同处（除非另有说明：Tc = 25℃）：

两个型号产品电气特性不同处（除非另有说明：Tc = 25℃）：

外形尺寸：

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