【产品】24V/18A N沟道增强型MOSFET QXM20N06，可提高dv/dt能力，适合快速开关应用
群芯微推出QXM20N06 N沟道增强型MOSFET(场效应晶体管)采用了沟槽式DMOS技术，这种先进的技术经特别定制，可最少化导通电阻，提供优异的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率的快速开关应用。
特点
24V/18A
RDS(ON)=6.3mΩ @VGS=4.5V
提高dv/dt能力
快速切换
内嵌G-S ESD（静电）保护二极管
绿色环保器件可选
DFN3*3封装设计
引脚描述
应用
MB/VGA/Vcore
便携式设备
电池供电系统
负载开关
液晶屏反相器
最大额定值（若无特别说明，TA=25℃）
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