【产品】基于车规级氮化镓技术的脉冲激光二极管驱动电路板EPC9144,具有1.2纳秒脉宽的脉冲电流驱动激光
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出15V、28A大电流脉冲激光二极管驱动电路板EPC9144。
EPC9144演示板内的车规级氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)EPC2216可支持大电流纳秒脉冲的应用,提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28A、脉宽则可低至1.2纳秒,从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。
在飞行时间(ToF)系统,对侦测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AEC-Q101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能、可提供功率脉冲,驱动激光二极管,VCSEL或LED的速度比等效MOSFET快十倍,且兼具小尺寸、低能量及低成本等优势。
由于氮化镓场效应晶体管及集成电路提供大电流脉冲、超窄脉宽及小尺寸,所以可以实现物美价廉的激光雷达系统。窄脉宽可实现更高分辨率,而小尺寸及低成本等优势使得氮化镓场效应晶体管成为广泛ToF应用的理想器件,包括车用、工业自动化、医疗保健,以至智能广告、游戏及安防等应用领域。
EPC9144发货时内付中介层载板,包含可取出的5毫米乘5毫米的PCB及给不同的激光及射频连接器使用的占板面积,以及测试不同负载的占板面积。这样,可以安装不同激光或负载,从而测试不同应用的负载要求的性能。
氮化镓器件可以实现不昂贵并且高性能的激光雷达系统,所以使得需要高准确性的应用得以进一步发展,例如全自动驾驶汽车,以及其它的飞行时间(ToF)应用,包括人面识别、自动化仓库、无人机及地图制作。EPC9144也可以用于需要接地eGaN FET的应用,例如E类或类同的电路。
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风微凉 Lv4. 资深工程师 2020-10-21学习了
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鄗立恒 Lv8. 研究员 2020-02-18学习了。
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善始善终 Lv6. 高级专家 2020-01-23学习
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lizzy Lv5. 技术专家 2020-01-22谢谢分享
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闲云 Lv7. 资深专家 2020-01-21学习了
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鄗立恒 Lv8. 研究员 2020-01-20学习了。
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terrydl Lv9. 科学家 2020-01-19学习了
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maomao Lv8. 研究员 2020-01-19学习了
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用户44135521 Lv3. 高级工程师 2020-01-19了解一下
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用户56731903 Lv9. 科学家 2020-01-19了解一下!!!
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
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30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
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67
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20
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3.4
|
28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
Substrate Vendor Alternate Product / Process Change Notification (PCN) (PCN240531)
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C
GaN Transistor for Several Power Applications
GaN transistors are significantly faster and smaller than silicon MOSFETs. The performance of GaN shows that efficiency and performance have improved significantly, leading to several new applications that were not possible with silicon technology. eGaN® FETs, from EPC, are supplied in a low inductance, low resistance, small and low-cost LGA or BGA packages. In addition, they offer designers the best in class compared to MOSFETs in both hard switching and soft-switching applications.
Substrate Vendor Alternate Product / Process Change Notification (PCN) (PCN240501)
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C
Enhancement-Mode Gallium Nitride Technology
型号- EPC2212,N/A,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC2100,EPC2067,EPC21701,EPC2221,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC7007,EPC2034C,EPC7002,EPC9148,EPC23101,EPC2071,EPC7001,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC23104,EPC90140,EPC2111,EPC7004,EPC7003,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9039,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC21601,EPC2088,EPC7014,EPC90122,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
EPC评估套件选型表
EPC提供评估板的选型:Default Configuration:IToF、Resonant Pulse DToF;VBUS (max)(V):12~160V;VINPUT(max)(V):5 V;Tpin(min)(ns):1 ns/2 ns
产品型号
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品类
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Description
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VIN(V)
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VOUT(V)
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IOUT (A)
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Featured Product
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EPC9163
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评估板
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Synchronous, Buck or Boost, digital controller
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Buck: 20 – 60 V
Boost: 11.3 – 16 V
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Buck: 5 - 16 V
Boost: 20-50 V
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140 A (Buck)
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EPC2218
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选型表 - EPC 立即选型
eGaN® FETs and ICs for Time-of-Flight/Lidar APPLICATION BRIEF
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2055,EPC90156,EPC2218A,EPC9087,EPC90153,EPC2302,EPC2306,EPC8002,EPC2065,EPC21702,EPC9179,EPC21701,EPC2221,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9092,EPC9050,EPC90146,EPC9172,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2034C,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2071,EPC9144,EPC90132,EPC9022,EPC9180,EPC90137,EPC9181,EPC2204A,EPC9005C,EPC2204,EPC2040,EPC9156,EPC21603,EPC2361,EPC21601,EPC2088,EPC90123,EPC9154,EPC9150
EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流
宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75A、125A、231A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET-EPC2252、EPC2204A和EPC2218A。
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可自由定制电池形状,锂离子聚合物/磷酸铁锂成分,放电倍率Max. 50C (持续放电倍率) / 150C (脉冲放电倍率),充电倍率:Max. 5,厚度可达0.5mm。
最小起订量: 5000 提交需求>
可定制电机的连续转矩范围1Nm至2000Nm,峰值转矩3Nm至5500Nm,电机延长线长度、变换编码器类型。
最小起订量: 1 提交需求>
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