【产品】-20V/-3.0A或-2.0A的P沟道增强型MOSFET AM2301，采用SOT-23S封装
AM2301是AIT的一款P沟道增强型MOSFET，采用高单元密度设计和先进的沟槽技术，导通电阻小，栅极充电电荷小，可以在2.5V的栅极电压下工作。AM2301可以承受的极限漏源电压为-20V，极限栅源电压为±12V，在环境温度为 25℃时，可以承受的极限漏极连续电流大小为3.2A，功耗为1.0W，结温和储存温度范围为-55℃~150℃，适合用作负载开关或其他一般应用。AM2301采用SOT-23S封装，其引脚分布如图1所示，
图1 AM2301引脚分布
AM2301产品特性
·-20V/-3.0A；VGS =-4.5V时， RDS(ON) =80mΩ(典型值)
·-20V/-2.0A；VGS =-2.5V时，RDS(ON) =105mΩ(典型值)
·超高密度单元设计，可实现极低的栅极充电电荷
·卓越的导通电阻性能和直流载流能力
·采用SOT-23S封装
AM2301应用领域
·笔记本电脑电源管理
·便携式设备
·网络DC-DC电源系统
·负载开关
AM2301订购信息
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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