【应用】国产DDR3L存储芯片ZDV5256M16A-13IPH用在光路选择开关的SOC中,功耗比DDR3降低15%左右

2023-05-31 世强
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光路选择开关是光通信网络的可重构光分插复用(ROADM)节点中的核心器件,特别是多通道的波长选择开关,可以实现动态的可重构的全光信号上传下载连接,最终实现不同波长的通道选择。这是当前技术最先进,也是结构最复杂的一种光通信设备,也是5G通信网络核心光模块,是最先进、结构最复杂且具有高价值的光通信产品。


不同于以前的无源光路选择器件,最新光路选择开关需要使用高性能FPGA(SOC)结合不同的光学器件来实现光通道的快速切换选择,高性能SOC组成的控制系统工作时需要外挂一颗4G Bit的DDR3L作为数据读写存储器件。这里我们推荐国产澜智的DD3L 存储芯片ZDV5256M16A-13IPH来实现。

图1 50G PON OLT模块晶振参考基本框图

相关应用优势如下:

1、客户之前打算选用某光颗粒的非国产4Gbit DDR3存储芯片,考虑到供货稳定及周期续期,继而寻求国产化产品,而ZDV5256M16A-13IPH包括内存颗粒和控制器均选用纯国产型号,完全不受供给国际关系影响,保证芯片长期稳定供货。


2、ZDV5256M16A-13IPH时钟频率为933 MHz,读写速度为1866Mbps,读写速度较快,可以确保在系统设备运行时,迅速的响应设备控制运算需求。当然如果客户需要,还可以选择2133Mbps的更高读写速度等级产品。


3、ZDV5256M16A-13IPH是DDR3L存储芯片,相对于DDR3的1.5V工作电压,DDR3L只需更低的工作电压1.35V,功耗相对于DDR3降低了15%左右,在对功耗要求严苛的光传输设备中,要保证长时间稳定工作,更低的功耗也就意味着更长的稳定工作时间。


此外,ZDV5256M16A-13IPH完全符合JEDEC标准,与其他符合该标准的产品具有相同的互操作性和兼容性。

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澜智(ZETTA)Flash选型表

澜智闪存产品Nand Flash、NOR Flash可供选型参考,Den:2Mb~64Gb,SPI、PPI、MLC、PPI、SLC等多种接口,多应用于手机,平板电脑,车载设备,监控,POS机,家电,M2M,数据卡,机顶盒等终端产品上。

产品型号
品类
Density(Mb、Gb)
Interface
Type
Voltage Range(V)
Package
Packaging
ZD35Q1GC-IBR
Nand Flash Memory
1Gb
SPI
Nand
2.7 -3.6V
WSON 6x8
Tape&Reel

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澜智(ZETTA)闪存选型表

提供澜智闪存选型表:NOR Flash:容量可达2Mb~1Gb,SPI接口,可擦写次数达10万次;EEPROM:容量可达2Kb~1Mb,可擦写次数达300万次;NAND Flash:容量可达1Gb~8Gb,支持内嵌的4bits/256bytes的ECC处理,支持标准SPI口以及SLC,可擦写次数达10万次

产品型号
品类
Type
Density
Interface
Voltage
Package
ZD24C08A-SSGMT
I²C兼容(2线)串行EEPROM
EEPROM
8Kb
I2C
1.65V-5.5V
SOP8-150

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